15,0" Mildex CTP STANDARD, GFF w/EETI-8 Design od okraje k okraji. Nakonfigurovaný modul dotykového panelu. Přizpůsobený design krycího skla. Vylepšení materiálu pro venkovní řešení (volitelné). Řešení IC s vysokým poměrem signálu a šumu (S/NR). Podpora dotykové funkce 10 prstů.

18,5" Mildex CTP STANDARD, GFF w/EETI-8 Design od okraje k okraji. Nakonfigurovaný modul dotykového panelu. Přizpůsobený design krycího skla. Vylepšení materiálu pro venkovní řešení (volitelné). Řešení IC s vysokým poměrem signálu a šumu (S/NR). Podpora dotykové funkce 10 prstů.

21,6" Mildex CTP STANDARD, GG w/EETI-80 Design od okraje k okraji. Nakonfigurovaný modul dotykového panelu. Přizpůsobený design krycího skla. Vylepšení materiálu pro venkovní řešení (volitelné). Řešení IC s vysokým poměrem signálu a šumu (S/NR). Podpora dotykové funkce 10 prstů.

(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Zajišťuje lepší spolehlivost, dostupnost a provozuschopnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.

(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Zajišťuje lepší spolehlivost, dostupnost a provozuschopnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.

16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.

(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

16G ECC-DDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16 GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. ECC.

16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16 GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Bez vyrovnávací paměti.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.

16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.

32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32 GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Bez vyrovnávací paměti.

16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Hynix.

(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

16G ECC-SODDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16 GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. ECC.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.

16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.

GT730 2G PCIEX16 DVI+HDMI+VGA Low Prof. Grafický procesor NVIDIA GeForce®GT730. DVI-D, HDMI a VGA. Velikost paměti 2 GB. Nízký profil.

SG IPC 4TB 2,5" 5KRPM SATA3 128MB Úložiště 4 TB. 5K RPM 128MB cache. Ideální pro všeobecné skladování. Rozhraní SATA. Záruka 3 roky.

SG IPC 5TB 2,5" 5KRPM SATA3 128MB Úložiště 5 TB. 5K RPM 128MB cache. Ideální pro všeobecné skladování. Rozhraní SATA. Záruka 3 roky.

SG Enterprise 2,5" 1,2TB 10KRPM SAS 12G Úložiště o kapacitě 1,2 TB. 10K RPM 256 MB vyrovnávací paměti. Podporovaný RAID & 24X7. Rozhraní SAS 12 Gb/s. 5letá omezená záruka.

SG Enterprise 2,5" 1TB 7KRPM SATA 128 MB 1TB úložiště. 7K RPM 128 MB vyrovnávací paměti. Podporovaný nájezd a 24X7. Rozhraní SATA. 5letá omezená záruka.

SG Ent 2,5" 2TB 7KRPM SATA 128MB 512E 2TB úložiště. 7K RPM 128 MB vyrovnávací paměti. Podporovaný nájezd a 24X7. Rozhraní SATA. 5letá omezená záruka.

SG Enterprise 2,5" 600GB 10KRPM SAS 12G 600GB úložiště. 10K RPM 256 MB vyrovnávací paměti. Podporovaný RAID & 24X7. Rozhraní SAS 12 Gb/s. 5letá omezená záruka.

RAIDON SATA3 RAID0/1 2,5 "HDDX2 BLK Vhodné pro 2 x 2,5" SATA SSD/HDD v jedné 5,25" pozici pro disk. Podpora RAID 0/1. Čitelný displej LCD a indikátory LED. Podpora rozhraní SATA 6 Gb/s. Podpora výměny za provozu a automatické obnovy.

(DEL21)INTEL NIC 10/100/1000M PCIEx4 2pt 10/100/1000Mbps. Duální porty. PCIe v2.1 (5,0GT/s).

1U 1P KBM KB(USA EN)+TPAD COMBO Zásuvka pro klávesnici 1U 19" do racku. Jedna konzola. Klávesnice se 104 klávesami a touchpadem.

(DEL22)ADAPTEC 8405E SAS 4P 12GB/S 512M RAID 0, 1, 10. 4 porty (4 interní). Kompatibilita 12 Gb/s se zařízeními SA/SATA HDD nebo SSD. Funkce adaptéru RAID ve smíšeném režimu a HBA pro ukládání do mezipaměti.

SOFTWARE, WIN 10 PRO 64BIT ENG 1PK CD INTL. Zabezpečení podnikové kvality pro malé a střední podniky. Rychlé spuštění systému a rychlá odezva. Jednoduché nastavení a správa. Možnost připojení k Azure Active Directory s jednotným přihlášením k aplikacím hostovaným v cloudu3. Obsahuje produktový klíč a DVD.

TR 128GB 2,5" SSD SATAIII MLC -40~90°C 2.5". MLC. SATA III. 128 GB.

SSSTC SEMI-WT SSD 1TB 2,5" SATA3 Tos 96 KIOXIA 3D TLC. SATAIII. PODPORA ZAPNUTÍ ZAŘÍZENÍ. POLOPROPUSTNÁ PODPORA (-25 ℃ ~ 85 ℃). VÝKON AŽ 550 MB. OPTIMALIZOVÁNO PRO IPC A OKRAJOVÉ ÚLOŽIŠTĚ.

TR 256GB 2,5" SSD SATAIII MLC -10~80°C 2.5". MLC. SATA III. 256 GB.

INTEL CELERON 2.2G 2MB 1150P G1820TE Intel Celeron G1820TE. 2,2 GHz. 2 MB mezipaměti. LGA1150.

INTEL CELERON 2.7G 2MB 1150P G1820 Intel Celeron G1820. 2,7 GHz. 2 MB mezipaměti. LGA1150.

CELERON 2.9G 2M 1151P G4900T Intel Celeron G4900T. 2,9 GHz. 2 MB mezipaměti. FCLGA1151.

CELERON 3.1G 2M 1151P G4900 Intel Celeron G4900. 3,1 GHz. 2 MB mezipaměti. FCLGA1151.

CELERON 3.2G 2M 1200P 2C G5900E Intel Celeron G5900E. 3,2 GHz. 2 MB mezipaměti. FCLGA1200.

CELERON 2.3G 2M 1151P G3900TE Intel Celeron G3900TE. 2,3 GHz. 2 MB mezipaměti. LGA1151.

CORE 2.3G 8M 1150P 4 CORE I7-4770TE Intel Core i7-4770TE 4. generace. Až 3,3 GHz. 8 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE 3.1G 8M 1150P 4 CORE I7-4770S Intel Core i7-4770S 4. generace. Až 3,9 GHz. 8 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE 3.2G 8M 1150P 4CORE i7-4790S Intel Core i7-4790S 4. generace. Až 4,0 GHz. 8 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE I7 2.0G 16M 1200P 8C I7-10700TE Intel Core i7-10700TE. 2,0 GHz. 16 MB Cache. FCLGA1200.

CORE I9 1.8G 20M 1200P 10C I9-10900TE Intel Core i9-10900TE. 1,8 GHz. 20 MB mezipaměti. FCLGA1200.

PENTIUM 2.3F 3M 1150P ZÁSOBNÍK G3320TE Intel Pentium G3320TE. 2,3 GHz. 3 MB mezipaměti. LGA1150.

PENTIUM 3.1G 4M 1151P 2 JÁDRA G5400T Intel Pentium G5400T. 3,1 GHz. 4 MB mezipaměti. FCLGA1151.