Aktivní filtry
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1,2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.
4G SO-DDR4-3200 512GbX16 1,2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung. široký rozsah teplot od -40° do 85°C.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Velmi nízký profil. Široká teplota. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR).
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Originální čip Samsung. Široká teplota. -40C až +85C. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Originální čip Samsung. Široká teplota. -40C až +85C. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registered DIMM. Velmi nízký profil. Široká teplota. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. Zajišťuje lepší spolehlivost, dostupnost a provozuschopnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.
