* A képek csak tájékoztató jellegűek. Tekintse meg a termék specifikációit (adatlap).
Letölthető fájlok:
insert_drive_file AQD-SD4U16GN32-SE1-16G-SO-DDR4-3200-1GX8-12V-SAM--20~85%E2%84%8320240516093338.pdf
Feltételek és feltételek
| Memória | Gyártó | Advantech |
| Kapacitás | 16 GB | |
| Chip gyártó | SAMSUNG | |
| Chip szervezés | 1 G x 8 | |
| Rang | 1 rang | |
| Interfész | 260 tűs | |
| Frekvencia | 3200 MHz | |
| Feszültség | 1.2 V | |
| NYÁK magasság | 1.18" | |
| Jellemző | Unbuffered (puffer nélküli) | |
| Üzemi hőmérséklet | -20 ~ 85°C |
Adatlap
A rendelés leadása után e-mailben kap egy előlegszámlát, amelyben részletesen kiszámítjuk a legkedvezőbb szállítási költséget. Nálunk nincsenek rejtett díjak, a szállítási költséget nem építjük be a termék árába. Ezenkívül megadjuk a várható szállítási időpontot. Az előlegszámla megerősítésével zöld utat ad nekünk rendelése kiszállításához, és elfogadja szállítási feltételeinket.
Büszkék vagyunk arra, hogy az Advantech, Westermo, Elproma és Korenix márkák hivatalos tanúsított partnerei vagyunk. Ennek köszönhetően biztos lehet benne, hogy megbízható szállítótól vásárol minőségi és bevizsgált termékeket. Látogassa meg a linket, és ellenőrizze együttműködésünket közvetlenül a hivatalos weboldalon.
Csapatunk nagy tapasztalattal rendelkezik nagy ipari projektek tervezésében és megvalósításában. Már együttműködtünk jelentős ipari vállalatokkal, metróval és vasúti közlekedéssel. Ha nagyobb projektet tervez, vagy konzultációra van szüksége, mi itt vagyunk Önnek! Szakértőink szívesen segítenek, és pontosan az Ön igényeire szabott ajánlatot készítenek.
Kérdései vannak, vagy gyors segítségre van szüksége? Ügyfélszolgálatunk kész a lehető leggyorsabban válaszolni Önnek, és megadni minden szükséges információt.
Hiszünk termékeink és szolgáltatásaink minőségében. Ha valamilyen okból nem elégedett, szívesen segítünk megoldást találni.
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. ECC.
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. ECC.
