16GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari kialakítás a megbízhatóság javítására. PCB: 30μ aranyozott csatlakozó. Kénesedés elleni védelem. Fél-széles hőmérsékleti támogatás -20~85℃.
Advantech 16G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Puffer nélküli Samsung Chip Eredeti Samsung Chip. Növelt bankok és burst hossz. DDR5 4,8GT/s. Azonos bank frissítés. Beépített ECC a továbbfejlesztett RAS érdekében.
Advantech 32GB DDR5-5600 288 tűs 2GX8 1.1V puffer nélküli Hynix chip Eredeti Hynix chip. Növelt bankok és burst hosszúság. DDR5 5,6GT/s. Ugyanazon bank frissítése. Beágyazott ECC a fokozott RAS érdekében.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM SAM Eredeti Chip. PCB: 30μ aranyozott érintkező.Kénesedés elleni védelem. Beágyazott ECC a fokozott RAS érdekében. Működési hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Eredeti Samsung chip.Növelt bankok és burst hossz.DDR5 4.8GT/s.Azonos bank frissítés.Beépített ECC a fokozott RAS érdekében.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Eredeti Chip.Kettős 32-bites alcsatorna.Növelt bankok és burst hossz.DDR5 4.8GT/s.Azonos bank frissítés.Beépített ECC a továbbfejlesztett RAS érdekében.
Advantech 8G DDR5-4800 288Pin 1GX16 1.1V Puffermentes Samsung Chip Eredeti Samsung Chip. Megnövelt Bankok és Burst Hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Azonos-Bank Frissítés. Beágyazott ECC a Fokozott RAS érdekében.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari tervezés a megbízhatóság javítására. NYÁK: 30μ aranyozott csatlakozó. Szulfidálódás elleni védelem. Félig széles hőmérséklet-tartomány támogatás -20~85℃.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Puffermentes Hynix Chip Eredeti Hynix Chip. Megnövelt bankok és burst hossza. DDR5 5.6GT/s. Ugyanazon bank frissítése. Beágyazott ECC a fokozott RAS érdekében.
16GB R-DDR5 5600 R-DIMM 2Gx8 1,1 V SAM Eredeti SAM chip.Ipari kivitel a nagyobb megbízhatóság érdekében.Szerverplatformokkal kompatibilis.30 µ” aranyozott csatlakozóérintkezők.Üzemi hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
16GB DDR5-5600 2GX8 1,1V SAM SAM eredeti chip. PCB: 30 μ aranyozott csatlakozóérintkező (gold finger). Szulfidáció elleni védelem. On-die ECC a fokozott RAS (megbízhatóság, rendelkezésre állás, szervizelhetőség) érdekében. Üzemi hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM SAM Eredeti Chip. PCB: 30μ aranyozott érintkező. Anti-szulfidáció. Beépített ECC a továbbfejlesztett RAS érdekében. Üzemi hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
8GB DDR5-5600 1GX16 1.1V SAM -20~85℃ SAM Eredeti Chip. Ipari tervezés a megbízhatóság javításáért. PCB: 30μ arany érintkező. Kénesedés elleni védelem. Félig széles hőmérséklet-támogatás -20~85℃.
32GB R-DDR5 5600 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM SAM eredeti chip. Ipari kialakítás a megnövelt megbízhatóságért. Kompatibilis szerver platformmal. 30u” aranyozott érintkezők. Üzemi hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
Advantech 32G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1,1V Puffer nélküli Samsung chip Samsung eredeti chip.Növelt bankok és burst hossz.DDR5 4,8GT/s.Azonos bank frissítés.Belső ECC a jobb RAS érdekében.
Advantech 8GB DDR5-5600 288 tűs 1GX16 1.1V Puffer nélküli Hynix Chip Eredeti Hynix chip. Növelt bankok és Burst hossz. DDR5 5.6GT/s sebesség. Azonos bank frissítés. Beépített ECC a fokozott RAS érdekében.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Eredeti Samsung chip.Kettős 32-bites alcsatornák.Növelt bankok és burst hossz.DDR5 4.8GT/s.Azonos bank frissítése.Beágyazott ECC a fokozott RAS érdekében.
32 GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Eredeti Samsung chip. Kettős 32 bites alcsatornák. Növelt bankok és burst hosszúság. DDR5 4,8 GT/s. Azonos bank frissítés. Beépített ECC a továbbfejlesztett RAS érdekében.