Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Párhuzamosítatlan Samsung Chip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-tűs. 512MX8. Samsung Chip.
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Puffer nélküli Samsung Chip DDR3 1600MHz puffer nélküli SO-DIMM. 30μ" arany bevonat vastagság. 1,35V áramfogyasztás. Eredeti Samsung chip.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Hynix chip.
8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204 tűs.512MX8.Samsung chip.
1G SO-DDR3-1333 128X8 1,5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204 tűs. 128MX8. Samsung chip.
1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz puffereletlen SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1,35V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Samsung Chip.
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Hynix chip.
(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIKROFON DDR3-1600 SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Micron chip.
Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1.35V Párhuzamosítatlan Samsung Chip DDR3-1600 SO-DIMM.204 tűs.256MX8.Samsung chip.