16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" aranyozás vastagság. Kénesedés elleni védelem. Puffer nélküli.
32G DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -20~85℃ Eredeti SAM chip. Ipari kivitel a megnövelt megbízhatóságért. PCB: 30μ aranyozott csatlakozóérintkezők (gold finger). Szulfidáció elleni védelem. SEMI széles hőmérséklet-tartomány támogatás: -20~85℃.
16GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari kialakítás a megbízhatóság javítására. PCB: 30μ aranyozott csatlakozó. Kénesedés elleni védelem. Fél-széles hőmérsékleti támogatás -20~85℃.
16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" aranyozás vastagság. Kénesedés elleni védelem. Puffer nélküli.
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Párhuzamosítatlan Samsung Chip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-tűs. 512MX8. Samsung Chip.
Advantech 16G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Puffer nélküli Samsung Chip Eredeti Samsung Chip. Növelt bankok és burst hossz. DDR5 4,8GT/s. Azonos bank frissítés. Beépített ECC a továbbfejlesztett RAS érdekében.
32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" aranyozás vastagság. Anti-kénesedési ellenállás. Puffer nélküli.
Advantech 32GB DDR5-5600 288 tűs 2GX8 1.1V puffer nélküli Hynix chip Eredeti Hynix chip. Növelt bankok és burst hosszúság. DDR5 5,6GT/s. Ugyanazon bank frissítése. Beágyazott ECC a fokozott RAS érdekében.
Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1.35V Puffer nélküli Samsung Chip DDR3 1600MHz puffer nélküli DIMM. 30μ" arany bevonat vastagság. 1,35V energiafogyasztás. Eredeti Samsung chip.
32G SO-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari kialakítás a megnövelt megbízhatóságért. NYÁK: 30μ aranyozott csatlakozó. Kénesedés elleni védelem. Félig széles hőmérséklet-tartomány támogatása -20~85℃.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Eredeti Samsung chip.Növelt bankok és burst hossz.DDR5 4.8GT/s.Azonos bank frissítés.Beépített ECC a fokozott RAS érdekében.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM SAM Eredeti Chip. PCB: 30μ aranyozott érintkező.Kénesedés elleni védelem. Beágyazott ECC a fokozott RAS érdekében. Működési hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Puffer nélküli Samsung Chip DDR3 1600MHz puffer nélküli SO-DIMM. 30μ" arany bevonat vastagság. 1,35V áramfogyasztás. Eredeti Samsung chip.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2Gx8 1.1V Puffermentes Samsung Chip Samsung eredeti chip. Kettős 32-bites alcsatornák. Növelt bankok és burst hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Azonos bank frissítés. Beágyazott ECC a fokozott megbízhatóságért és rendelkezésre állásért.
32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB.Sebesség: 3200MHz.30u" Arany bevonat vastagság.Kénesedés elleni védelem.Puffereletlen.
32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB.Sebesség: 3200MHz.30u" arany bevonat vastagság.Kénesedés elleni ellenállás.ECC.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Eredeti Samsung chip. Kettős 32 bites alcsatornák. Növelt bankszám és burst hossz. DDR5 4,8GT/s. Azonos bank frissítés. Beágyazott ECC a jobb RAS érdekében.
(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240 tűs. 512MX8. Micron chip.
4G R-DDR4-2400 1.2V 512X8 SAM DDR4-2400 Regisztrált DIMM – standard magasságú.30μ" arany bevonat vastagság (IPC-2221 szabvány).1,2V energiafogyasztás.Alacsony energiafogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).Növeli a megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS), valamint javítja az adatintegritást.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM SAM Eredeti Chip. PCB: 30μ aranyozott érintkező. Anti-szulfidáció. Beépített ECC a továbbfejlesztett RAS érdekében. Üzemi hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Eredeti Chip.Kettős 32-bites alcsatorna.Növelt bankok és burst hossz.DDR5 4.8GT/s.Azonos bank frissítés.Beépített ECC a továbbfejlesztett RAS érdekében.
4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz puffereletlen UDIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
Advantech 8G DDR5-4800 288Pin 1GX16 1.1V Puffermentes Samsung Chip Eredeti Samsung Chip. Megnövelt Bankok és Burst Hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Azonos-Bank Frissítés. Beágyazott ECC a Fokozott RAS érdekében.
16 GB ECC DDR5-5600 2GX8 1,1 V SAM Eredeti SAM chip. Szulfidáció elleni védelem. PCB: 30 μ aranyozott érintkező (gold finger). Beépített, független tápellátás-menedzsment IC (PMIC). ECC funkció támogatása.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Puffermentes Hynix Chip Eredeti Hynix Chip. Megnövelt bankok és burst hossza. DDR5 5.6GT/s. Ugyanazon bank frissítése. Beágyazott ECC a fokozott RAS érdekében.
8G DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari kivitel a megnövelt megbízhatóság érdekében. PCB: 30μ aranyozott csatlakozóérintkezők. Szulfurizáció elleni védelem. SEMI széles hőmérséklet-tartomány támogatás: -20~85℃.
16G DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ Eredeti SAM chip. Ipari kivitel a fokozott megbízhatóságért. PCB: 30μ aranyozott csatlakozóérintkezők. Szulfidáció elleni védelem. SEMI széles hőmérséklet-tartomány támogatás: -20~85℃.
16G SO-DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ Eredeti SAM chip. Ipari kivitel a nagyobb megbízhatóság érdekében. PCB: 30μ aranyozott csatlakozóérintkezők. Szulfidáció elleni védelem. Fél széles hőmérséklet-tartomány támogatása: -20~85℃.
16GB R-DDR5 5600 R-DIMM 2Gx8 1,1 V SAM Eredeti SAM chip.Ipari kivitel a nagyobb megbízhatóság érdekében.Szerverplatformokkal kompatibilis.30 µ” aranyozott csatlakozóérintkezők.Üzemi hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
32G R-DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -40~85C Regisztrált DIMM (RDIMM).30 µ" aranyozási vastagság.Antiszulfidációs (kénesedés elleni) védelem.1,2 V tápfeszültség.Eredeti Samsung chip.Széles üzemi hőmérséklet-tartomány: -40° – 85°C.
16G R-DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -40~85C Regiszteres DIMM.30u" aranyozási vastagság.Antiszulfidációs ellenállás.1,2 V tápfeszültség.Eredeti Samsung chip.Széles hőmérséklet-tartomány: -40° és 85°C között.
16GB DDR5-5600 2GX8 1,1V SAM SAM eredeti chip. PCB: 30 μ aranyozott csatlakozóérintkező (gold finger). Szulfidáció elleni védelem. On-die ECC a fokozott RAS (megbízhatóság, rendelkezésre állás, szervizelhetőség) érdekében. Üzemi hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
8G SO-DDR4-3200 1GX8 1.2V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari tervezés a megnövelt megbízhatóságért. NYÁK: 30μ arany érintkező. Kénesedés elleni védelem. Félig széles hőmérséklet-tartomány támogatás -20~85℃.
8GB DDR5-5600 1GX16 1.1V SAM -20~85℃ SAM Eredeti Chip. Ipari tervezés a megbízhatóság javításáért. PCB: 30μ arany érintkező. Kénesedés elleni védelem. Félig széles hőmérséklet-támogatás -20~85℃.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari tervezés a megbízhatóság javítására. NYÁK: 30μ aranyozott csatlakozó. Szulfidálódás elleni védelem. Félig széles hőmérséklet-tartomány támogatás -20~85℃.
32GB ECC DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM SAM Eredeti Chip.Kénesedés elleni védelem.NYÁK: 30μ aranyozott csatlakozó.Beépített független áramkezelő IC.ECC funkció támogatása.
4G SO-DDR4-3200 512X16 1.2V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari kialakítás a megnövelt megbízhatóságért. NYÁK: 30μ aranyozott érintkezők. Anti-szulfidáció. Semi széles hőmérséklet-tartomány támogatás -20~85℃.
32GB R-DDR5 5600 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM SAM eredeti chip. Ipari kialakítás a megnövelt megbízhatóságért. Kompatibilis szerver platformmal. 30u” aranyozott érintkezők. Üzemi hőmérséklet: 0°C ~ 85°C.
4G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-tűs. 512MX8. Samsung chip.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz puffer nélküli SO-DIMM. 30u" arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. 1,2V energiafogyasztás. Eredeti Samsung chip. Széles hőmérséklet-tartomány: -40° és 85°C között.
Advantech 32G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1,1V Puffer nélküli Samsung chip Samsung eredeti chip.Növelt bankok és burst hossz.DDR5 4,8GT/s.Azonos bank frissítés.Belső ECC a jobb RAS érdekében.
32G SO-DDR4-3200 2GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Párnázatlan SO-DIMM.30u" Arany bevonat vastagság.Kénesedés elleni védelem.1,2V energiafogyasztás.Eredeti Samsung chip.100%-ban tesztelve stabilitásra, kompatibilitásra és teljesítményre.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Puffermentes Hynix Chip Eredeti Hynix chip. Növelt bankok és kitörési hosszúság. DDR5 5.6GT/s. Azonos bank frissítés. Beágyazott ECC a fokozott RAS-hoz.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Páratlanítatlan Hynix Chip Hynix eredeti chip. Növelt bankok és burst hossz. DDR5 5.6GT/s. Azonos bank frissítés. Beépített ECC a megnövelt RAS érdekében.
Advantech 8GB DDR5-5600 288 tűs 1GX16 1.1V Puffer nélküli Hynix Chip Eredeti Hynix chip. Növelt bankok és Burst hossz. DDR5 5.6GT/s sebesség. Azonos bank frissítés. Beépített ECC a fokozott RAS érdekében.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V Puffer nélküli Hynix chip Eredeti Hynix chip. Növelt bankok és burst hosszúság. DDR5 5.6GT/s. Azonos bank frissítés. Beépített ECC a fokozott RAS érdekében.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Párnázatlan SO-DIMM. 30u" Arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. 1.2V áramfogyasztás. Eredeti Samsung chip. 100%-ban tesztelt stabilitásra, kompatibilitásra és teljesítményre.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Eredeti Samsung chip.Kettős 32-bites alcsatornák.Növelt bankok és burst hossz.DDR5 4.8GT/s.Azonos bank frissítése.Beágyazott ECC a fokozott RAS érdekében.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262 tűs 1Gx16 1.1V Puffer nélküli Samsung Chip Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatornák. Növelt bankszám és burst hossz. DDR5 4.8GT/s. Azonos bankos frissítés. Beépített ECC a jobb RAS érdekében.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Regisztrált ECC DIMM. Nagyon alacsony profil. Széles hőmérséklet-tartomány. 1,2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262 tűs 2GX8 1.1V Puffer nélküli Samsung chip Eredeti Samsung chip.Kettős 32 bites alcsatornák.Növelt bankok és kitörési hossz.DDR5 4.8GT/s.Azonos bank frissítés.Beépített ECC a fokozott RAS érdekében.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Eredeti Samsung chip. Kettős 32-bites alcsatornák. Növelt bankok és burst hossza. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon bank frissítése. Beágyazott ECC a fokozott RAS érdekében.
32 GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Eredeti Samsung chip. Kettős 32 bites alcsatornák. Növelt bankok és burst hosszúság. DDR5 4,8 GT/s. Azonos bank frissítés. Beépített ECC a továbbfejlesztett RAS érdekében.
Advantech 8G DDR3-1600 240 tűs 512MX8 1.35V Puffer nélküli Samsung Chip DDR3-1600. 240 tűs. 512MX8. Samsung chip.
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Regisztrált ECC DIMM. 1,2V energiafogyasztás. Támogatja az ECC hibajavítást és -észlelést. Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Micron DRAM chip. DDR4. Regisztrált DIMM. Aranyozott élcsatlakozók. 64GB.
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DDR4-3200 Regisztrált ECC DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Támogatja az ECC hibafelismerést és -javítást. Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Regisztrált ECC DIMM. 1,2V áramfogyasztás. Támogatja az ECC hibafelismerést és javítást. Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Alacsony energiafogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ 30u" Arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. Samsung eredeti chip. Széles hőmérséklet-tartomány: -40°C-tól +85°C-ig. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény szempontjából.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Hynix chip.
8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204 tűs.512MX8.Samsung chip.
8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" aranyozás vastagság. Kénesedés elleni ellenállás. ECC.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
8G R-DDR3-1600 1,35V és 1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC regisztrált. 240 érintkezős. 512MX8. Samsung chip.
8GB ECC-DDR3-1600 1.35V és 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-tűs.512MX8.Samsung chip.
1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200-tűs. 64MX8. Micron chip.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Regisztrált DIMM. Nagyon alacsony profil. Széles hőmérséklet-tartomány. 30μ" arany bevonat vastagság. 1.2V energiafogyasztás. Jobb megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS) biztosít, valamint javítja az adatintegritást.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz regisztrált DIMM. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Jobb megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS) biztosít, és javítja az adatok integritását.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz regisztrált DIMM. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Jobb megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS) biztosít, és javítja az adatok integritását.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. 3200MHz sebesség. 30u" aranyozás vastagság. Kénesedés elleni védelem. ECC.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffereletlen UDIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX 32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM 32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.
16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Hynix eredeti chip.
(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16 GB. Sebesség: 3200 MHz. 30u" Arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni ellenállás. ECC.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX 32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM 32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 288PIN 4Gbx4 REG Micron DRAM chip. DDR4 specifikáció. Regisztrált DIMM. Arany élű érintkezők. 64GB.
DDR2 800 DIMM 2GB 128x8 Nanya Nanya DRAM chip. DDR2. Hosszú DIMM. Puffer nélküli. 2GB.
2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC. 240 tűs. 256MX8. Samsung chip.
4GB ECC-DDR3-1600 1.35V és 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-tűs.512MX8.Samsung chip.
Advantech 4G DDR3-1600 240 tűs 256MX8 1.35V puffer nélküli Samsung Chip DDR3-1600. 240 tűs. 256MX8. Samsung.
4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Regisztrált. 240-tűs. 512MX8. Samsung chip.
(DEL21)Micron 4 GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
