16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" aranyozás vastagság. Kénesedés elleni védelem. Puffer nélküli.
32G SO-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari kialakítás a megnövelt megbízhatóságért. NYÁK: 30μ aranyozott csatlakozó. Kénesedés elleni védelem. Félig széles hőmérséklet-tartomány támogatása -20~85℃.
32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB.Sebesség: 3200MHz.30u" Arany bevonat vastagság.Kénesedés elleni védelem.Puffereletlen.
32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB.Sebesség: 3200MHz.30u" arany bevonat vastagság.Kénesedés elleni ellenállás.ECC.
16G SO-DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ Eredeti SAM chip. Ipari kivitel a nagyobb megbízhatóság érdekében. PCB: 30μ aranyozott csatlakozóérintkezők. Szulfidáció elleni védelem. Fél széles hőmérséklet-tartomány támogatása: -20~85℃.
8G SO-DDR4-3200 1GX8 1.2V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari tervezés a megnövelt megbízhatóságért. NYÁK: 30μ arany érintkező. Kénesedés elleni védelem. Félig széles hőmérséklet-tartomány támogatás -20~85℃.
4G SO-DDR4-3200 512X16 1.2V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari kialakítás a megnövelt megbízhatóságért. NYÁK: 30μ aranyozott érintkezők. Anti-szulfidáció. Semi széles hőmérséklet-tartomány támogatás -20~85℃.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz puffer nélküli SO-DIMM. 30u" arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. 1,2V energiafogyasztás. Eredeti Samsung chip. Széles hőmérséklet-tartomány: -40° és 85°C között.
32G SO-DDR4-3200 2GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Párnázatlan SO-DIMM.30u" Arany bevonat vastagság.Kénesedés elleni védelem.1,2V energiafogyasztás.Eredeti Samsung chip.100%-ban tesztelve stabilitásra, kompatibilitásra és teljesítményre.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Párnázatlan SO-DIMM. 30u" Arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. 1.2V áramfogyasztás. Eredeti Samsung chip. 100%-ban tesztelt stabilitásra, kompatibilitásra és teljesítményre.
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Hynix eredeti chip.
(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16 GB. Sebesség: 3200 MHz. 30u" Arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni ellenállás. ECC.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX 32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM 32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.
(DEL21)Micron 8 GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM chip. DDR4 specifikáció. Puffer nélküli DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 4GB.
4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. ECC.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.