DDR3 memória

Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1.35V Puffer nélküli Samsung Chip DDR3 1600MHz puffer nélküli DIMM. 30μ" arany bevonat vastagság. 1,35V energiafogyasztás. Eredeti Samsung chip.

(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240 tűs. 512MX8. Micron chip.

4G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-tűs. 512MX8. Samsung chip.

Advantech 8G DDR3-1600 240 tűs 512MX8 1.35V Puffer nélküli Samsung Chip DDR3-1600. 240 tűs. 512MX8. Samsung chip.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ 30u" Arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. Samsung eredeti chip. Széles hőmérséklet-tartomány: -40°C-tól +85°C-ig. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény szempontjából.

8G R-DDR3-1600 1,35V és 1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC regisztrált. 240 érintkezős. 512MX8. Samsung chip.

8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240 tűs. 512MX8. Hynix chip.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V és 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-tűs.512MX8.Samsung chip.

2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC. 240 tűs. 256MX8. Samsung chip.

4GB ECC-DDR3-1600 1.35V és 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-tűs.512MX8.Samsung chip.

4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240 tűs. 512MX8. Hynix chip.

Advantech 4G DDR3-1600 240 tűs 256MX8 1.35V puffer nélküli Samsung Chip DDR3-1600. 240 tűs. 256MX8. Samsung.

4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Regisztrált. 240-tűs. 512MX8. Samsung chip.