16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" aranyozás vastagság. Kénesedés elleni védelem. Puffer nélküli.
32G DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -20~85℃ Eredeti SAM chip. Ipari kivitel a megnövelt megbízhatóságért. PCB: 30μ aranyozott csatlakozóérintkezők (gold finger). Szulfidáció elleni védelem. SEMI széles hőmérséklet-tartomány támogatás: -20~85℃.
32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" aranyozás vastagság. Anti-kénesedési ellenállás. Puffer nélküli.
16G DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ Eredeti SAM chip. Ipari kivitel a fokozott megbízhatóságért. PCB: 30μ aranyozott csatlakozóérintkezők. Szulfidáció elleni védelem. SEMI széles hőmérséklet-tartomány támogatás: -20~85℃.
4G R-DDR4-2400 1.2V 512X8 SAM DDR4-2400 Regisztrált DIMM – standard magasságú.30μ" arany bevonat vastagság (IPC-2221 szabvány).1,2V energiafogyasztás.Alacsony energiafogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).Növeli a megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS), valamint javítja az adatintegritást.
4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz puffereletlen UDIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
8G DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ SAM eredeti chip. Ipari kivitel a megnövelt megbízhatóság érdekében. PCB: 30μ aranyozott csatlakozóérintkezők. Szulfurizáció elleni védelem. SEMI széles hőmérséklet-tartomány támogatás: -20~85℃.
32G R-DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -40~85C Regisztrált DIMM (RDIMM).30 µ" aranyozási vastagság.Antiszulfidációs (kénesedés elleni) védelem.1,2 V tápfeszültség.Eredeti Samsung chip.Széles üzemi hőmérséklet-tartomány: -40° – 85°C.
16G R-DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -40~85C Regiszteres DIMM.30u" aranyozási vastagság.Antiszulfidációs ellenállás.1,2 V tápfeszültség.Eredeti Samsung chip.Széles hőmérséklet-tartomány: -40° és 85°C között.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Regisztrált ECC DIMM. Nagyon alacsony profil. Széles hőmérséklet-tartomány. 1,2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Regisztrált ECC DIMM. 1,2V energiafogyasztás. Támogatja az ECC hibajavítást és -észlelést. Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Micron DRAM chip. DDR4. Regisztrált DIMM. Aranyozott élcsatlakozók. 64GB.
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DDR4-3200 Regisztrált ECC DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Támogatja az ECC hibafelismerést és -javítást. Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Regisztrált ECC DIMM. 1,2V áramfogyasztás. Támogatja az ECC hibafelismerést és javítást. Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Alacsony energiafogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.
8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" aranyozás vastagság. Kénesedés elleni ellenállás. ECC.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Regisztrált DIMM. Nagyon alacsony profil. Széles hőmérséklet-tartomány. 30μ" arany bevonat vastagság. 1.2V energiafogyasztás. Jobb megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS) biztosít, valamint javítja az adatintegritást.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz regisztrált DIMM. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Jobb megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS) biztosít, és javítja az adatok integritását.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz regisztrált DIMM. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Jobb megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS) biztosít, és javítja az adatok integritását.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. 3200MHz sebesség. 30u" aranyozás vastagság. Kénesedés elleni védelem. ECC.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffereletlen UDIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX 32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM 32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.
(DEL21)Micron 4 GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.
4G DDR4-2400 512X16 1,2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM chip. DDR4 specifikáció. Puffer nélküli DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 4GB.
8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.
8G DDR4-2400 1GX8 1,2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.
8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz puffereletlen UDIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.