16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtung Dicke. Anti-Sulfurierungsbeständigkeit. Ungepuffert.
32G DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -20~85℃ Original SAM-Chip. Industrielles Design für erhöhte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ vergoldete Kontakte (Goldfinger). Antisulfidations-Schutz. SEMI-Unterstützung für erweiterten Temperaturbereich -20~85℃.
32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. Goldbeschichtung 30µ" Dicke. Anti-Sulfurierungsbeständigkeit. Ungepuffert.
4G R-DDR4-2400 1.2V 512X8 SAM DDR4-2400 Registered DIMM – Standardhöhe. 30μ" Goldbeschichtungsdicke (IPC-2221 Standard). 1,2V Stromverbrauch. Niedriger Energieverbrauch mit automatischer Selbstaktualisierung (LPASR). Bietet bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbessert die Datenintegrität.
4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
8 GB DDR4-3200 1Gx8 1,2 V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip. Industrielles Design für erhöhte Zuverlässigkeit. PCB: 30 μ Goldkontakte. Anti-Sulfurierung. SEMI Weittemperatur-Unterstützung -20~85℃.
16G DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ Original SAM-Chip. Industrie-Design für erhöhte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldkontaktfinger. Antisulfidierung. SEMI Weittemperatur-Unterstützung -20~85℃.
32G R-DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -40~85C Registered DIMM. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Beständigkeit gegen Sulfurierung (Antischwefelung). 1,2V Leistungsaufnahme. Original Samsung-Chip. Erweiterter Temperaturbereich von -40° bis 85°C.
16G R-DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -40~85C Registered DIMM.30 µ" Goldbeschichtungsdicke.Beständigkeit gegen Sulfidierung (Anti-Sulfurization).1,2V Leistungsaufnahme.Original Samsung-Chip.Erweiterter Temperaturbereich von -40° bis 85°C.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Sehr niedriges Profil. Großer Temperaturbereich. 1,2V Stromverbrauch. Niedrigenergie-Auto-Selbstauffrischung (LPASR).
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registered ECC DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Datenbusinversion (DBI) für Datenbus. Niedrigenergie-Auto-Selbstaktualisierung (LPASR).
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Micron DRAM-Chip. DDR4. Registered DIMM. Goldene Randkontakte. 64GB.
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DDR4-3200 Registered ECC DIMM. 1,2V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Datenbus-Inversion (DBI) für den Datenbus. Niedrigstrom-Auto-Selbstauffrischung (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registriertes ECC DIMM. 1,2V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Datenbus-Inversion (DBI) für den Datenbus. Niedrigleistungs-Auto-Selbstauffrischung (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.
8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30µ" Goldbeschichtungsstärke. Schwefelbeständigkeit. ECC.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registered DIMM. Sehr niedriges Profil. Weiter Temperaturbereich. 30μ" Goldbeschichtung. 1,2V Stromverbrauch. Bietet verbesserte Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbessert die Datenintegrität.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Anti-Sulfidationsbeständigkeit. ECC.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.
16G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.
(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.
(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.
(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.
4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM-Chip. DDR4-Spezifikation. Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 4GB.
8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.
8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.