DDR4-Speicher

8GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 8GB. DDR 4 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

4GB DDR4 3200 512MX16 SAM 4GB. DDR 4 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM-Chip. DDR4-Spezifikation. Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 4GB.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Micron DRAM-Chip. DDR4. Registriertes DIMM. Goldrandkontakte. 64GB.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

8G ECC-DDR4-3200 1,2V 1GX8 SAM 8GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. ECC.

(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 registriertes ECC-DIMM. Sehr niedriges Profil. Breite Temperatur. 1,2 V Stromverbrauch. Automatische Auffrischung bei niedrigem Stromverbrauch (LPASR).

Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2 DDR4-3200 registriertes ECC-DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Automatische Auffrischung bei niedrigem Stromverbrauch (LPASR).

Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2 DDR4-3200 registriertes ECC-DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Automatische Auffrischung bei niedrigem Stromverbrauch (LPASR).

Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1. DDR4-3200 registriertes ECC-DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Automatische Auffrischung bei niedrigem Stromverbrauch (LPASR).

Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G R-DDR4-2400 1.2V 512X8 SAM DDR4-2400 Registered DIMM. - Standardhöhe. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.

4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 registrierte DIMM. Sehr niedriges Profil. Breite Temperatur. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.

Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.

(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.

16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC-DDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. ECC.

16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

16G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.