16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Rychlost 3200MHz. 30u" tloušťka zlacení. Odolnost proti síření. Bez vyrovnávací paměti.
32G DDR4-3200 2GX8 1,2 V SAM −20 až 85 °C Originální čip SAM.Průmyslové provedení pro vyšší spolehlivost.PCB: 30 μ zlaté kontakty (gold finger).Ochrana proti sulfidaci.Podpora širokého teplotního rozsahu SEMI: −20 až 85 °C.
32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Rychlost 3200MHz. 30u" tloušťka zlatého pokovení. Odolnost proti sulfidaci. Bez vyrovnávací paměti.
4G R-DDR4-2400 1.2V 512X8 SAM DDR4-2400 Registrovaný DIMM – standardní výška.Tloušťka zlacení 30μ" (Standard IPC-2221).Spotřeba energie 1,2 V.Automatické obnovování s nízkou spotřebou (LPASR).Nabízí lepší spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.
4G DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
8 GB DDR4-3200 1G×8 1,2 V SAM -20 až 85 ℃ Originální čip SAM. Průmyslové provedení pro vyšší spolehlivost. PCB: 30 μ pozlacené kontakty (gold finger). Ochrana proti sulfidaci. Podpora rozšířeného teplotního rozsahu SEMI -20 až 85 ℃.
16GB DDR4-3200 1Gx8 1,2 V SAM -20~85 ℃ Originální čip SAM. Průmyslové provedení pro vyšší spolehlivost. PCB: 30 μ zlaté kontakty (gold finger). Ochrana proti sulfidaci. Podpora rozšířeného teplotního rozsahu SEMI Wide-temp -20~85 ℃.
32G R-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -40~85C Registrovaný DIMM modul. Tloušťka pozlacení kontaktů 30 µ". Odolnost proti sulfidaci (anti-sulfurization). Napájecí napětí 1,2 V. Originální čip Samsung. Široký teplotní rozsah od -40 °C do 85 °C.
16G R-DDR4-3200 1GX8 1,2 V SAM -40~85C Registrovaný modul DIMM.Tloušťka pozlacení 30u".Odolnost proti sulfidaci (anti-sulfurization).Napájecí napětí 1,2 V.Originální čip Samsung.Široký teplotní rozsah od -40 °C do 85 °C.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Registrované ECC DIMM. Velmi nízký profil. Široký rozsah teplot. Spotřeba energie 1,2V. Nízkoenergetické automatické samostatné obnovení (LPASR).
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 registrovaná ECC DIMM. Spotřeba energie 1,2V. Podporuje detekci a opravu chyb ECC. Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nízkopříkonové automatické samostatné obnovení (LPASR).
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Čip DRAM Micron. DDR4. Registrované DIMM. Zlaté kontakty na okrajích. 64GB.
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DDR4-3200 Registrované ECC DIMM.Spotřeba energie 1,2V.Podporuje detekci a opravu chyb ECC.Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici.Nízkospotřebové automatické samostatné obnovení (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registrovaný ECC DIMM. Spotřeba energie 1,2V. Podporuje detekci a opravu chyb ECC. Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nízkoenergetická automatická samoobnova (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.
8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB.Rychlost 3200MHz.30u" tloušťka zlatého pokovení.Odolnost proti sulfidaci.ECC.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registered DIMM. Velmi nízký profil. Široký teplotní rozsah. Tloušťka pozlacení 30μ". Spotřeba energie 1,2V. Zajišťuje vyšší spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Zajišťuje lepší spolehlivost, dostupnost a provozuschopnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Zajišťuje lepší spolehlivost, dostupnost a provozuschopnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka zlacení 30u". Odolnost proti sulfidaci. ECC.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.
16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.
32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.
(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.
(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.
(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.
4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Čip DRAM společnosti Samsung. Specifikace DDR4. Nevyrovnaný modul DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". 4 GB.
8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.
8G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.