16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur de placage or 30u". Résistance à la sulfidation. Non tamponné.
32G DDR4-3200 2Gx8 1,2 V SAM -20~85 ℃ Puce d’origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité accrue. PCB : contacts dorés 30 μ. Anti-sulfuration. Prise en charge SEMI à large plage de température -20~85 ℃.
32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur de placage en or 30u". Résistance à la sulfidation. Non tamponné.
4G R-DDR4-2400 1.2V 512X8 SAM DDR4-2400 DIMM enregistré – hauteur standard. Épaisseur de placage or 30μ" (Norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2V. Auto-régénération basse consommation (LPASR). Offre une meilleure fiabilité, disponibilité et serviceabilité (RAS) et améliore l'intégrité des données.
4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
8 Go DDR4-3200 1Gx8 1,2 V SAM -20~85℃ Puce d’origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité accrue. PCB : doigts dorés 30 μ. Anti-sulfuration. Prise en charge semi large plage de température -20~85℃.
DDR4-3200 16G 1Gx8 1,2 V SAM -20~85℃ Puce d’origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité accrue. PCB : connecteur à doigts dorés 30 μ. Protection anti-sulfuration. Prise en charge de la plage de température étendue (SEMI) : -20~85℃.
32G R-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -40~85C DIMM enregistré (RDIMM). Épaisseur de placage or 30 µ". Résistance à l’anti-sulfuration. Consommation électrique de 1,2 V. Puce d’origine Samsung. Large plage de températures de -40 °C à 85 °C.
16G R-DDR4-3200 1GX8 1,2 V SAM -40~85°C DIMM enregistrée (RDIMM).Épaisseur de placage or 30 µ".Résistance à l’anti-sulfuration.Consommation électrique 1,2 V.Puce Samsung d’origine.Large plage de températures de -40 ° à 85 °C.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DIMM ECC enregistré DDR4-3200.Profil très bas.Large plage de température.Consommation d'énergie de 1,2V.Auto-refresh à faible consommation d'énergie (LPASR).
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DIMM ECC enregistré DDR4-3200. Consommation électrique de 1,2V. Prend en charge la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-refresh à faible consommation d'énergie (LPASR).
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Puce DRAM Micron. DDR4. DIMM enregistré. Contacts de bordure en or. 64GB.
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DIMM ECC enregistré DDR4-3200. Consommation électrique de 1,2V. Prend en charge la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto rafraîchissement automatique à faible consommation d'énergie (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DIMM ECC enregistré DDR4-3200. Consommation électrique de 1,2V. Prend en charge la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-refresh à faible consommation d'énergie (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8 Go. Vitesse 3200 MHz. Épaisseur de placage en or de 30u". Résistance anti-sulfurisation. ECC.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DIMM enregistré DDR4-2400. Très faible profil. Large plage de température. Épaisseur de placage d'or de 30μ". Consommation électrique de 1,2V. Offre une meilleure fiabilité, disponibilité et maintenabilité (RAS) et améliore l'intégrité des données.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DIMM enregistrée DDR4 2933Mhz. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DIMM enregistrée DDR4 2933Mhz. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16 Go. Vitesse 3200 MHz. Épaisseur de placage en or de 30u". Résistance à la sulfuration. ECC.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.
16G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.
(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.
(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.
(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.
4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Puce DRAM Samsung. Spécifications DDR4. DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". 4GB.
8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.
8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.