8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Puce DRAM de Micron. DDR4. DIMM enregistrée. Contacts à bord en or. 64GB.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.
(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Profil très bas. Température élevée. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2 DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Consommation électrique de 1,2 V. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2 DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Consommation électrique de 1,2 V. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1. DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Consommation électrique de 1,2 V. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DIMM enregistrée DDR4-2400. Profil très bas. Température élevée. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DIMM enregistrée DDR4 2933Mhz. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DIMM enregistrée DDR4 2933Mhz. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. ECC.
16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.
16G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.
32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.
4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.
