Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1.35V Unbuffered Samsung Čip DDR3 1600Mhz Unbuffered DIMM.Hrúbka zlatenia 30μ".Spotreba energie 1.35V.Pôvodný čip Samsung.
(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Čip Micron.
4G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Samsung čip.
Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1.35V Unbuffered Samsung Čip DDR3-1600.240-pinový.512MX8.Samsung čip.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Hrúbka zlata 30u" na pozlátení. Odolnosť proti sírovaniu. Pôvodný čip Samsung. Široký teplotný rozsah -40°C až +85°C. 100% testované na stabilitu, kompatibilitu a výkon.
8G R-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registrovaná. 240-pinová. 512MX8. Samsung čip.
8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
8GB ECC-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-pinový. 512MX8. Samsung čip.
2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC. 240-pinový. 256MX8. Čip Samsung.
4GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-pinový.512MX8.Samsung čip.
4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
Advantech 4G DDR3-1600 240Pin 256MX8 1.35V Nevyrovnávaná pamäť so Samsung čipom DDR3-1600.240-Pin.256MX8.Samsung.
4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registrovaná.240-pinová.512MX8.Samsung čip.