Mémoire DDR3

4G DDR3-1600 512X8 1,35V & 1,5V SAM DDR3 1600Mhz DIMM sans tampon. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

8G DDR3-1600 512X8 1,35V 1,5V SAM DDR3 1600Mhz DIMM sans tampon. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Micron.

8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Enregistré. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

2G DDR3-1600 256X8 1.35V&1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-Pin. 256MX8. Puce Samsung.

8G DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Puce originale Samsung. Température étendue. De -40C à +85C. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Puce originale Samsung. Température étendue. De -40C à +85C. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

8G DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 256MX8. Puce Samsung.

2G DDR3-1600 256X8 1.35V&1.5V SAM DDR3 1600Mhz DIMM sans tampon. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

4GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

4G DDR3-1600 256X8 1,35V 1,5V SAM DDR3-1600. 240-Pin. 256MX8. SAMSUNG.

4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Enregistré. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.