Mémoire DDR3

Advantech 8G DDR3-1600 240Broches 512MX8 1.35V Non-Équilibrée Puce Samsung DDR3 1600Mhz DIMM non-équilibrée. Épaisseur de placage en or de 30μ". Consommation électrique de 1.35V. Puce originale Samsung.

(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Micron.

4G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240 broches. 512MX8. Puce Samsung.

Puce Samsung Advantech 8G DDR3-1600 240 broches 512MX8 1,35V Non tamponnée DDR3-1600. 240 broches. 512MX8. Puce Samsung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Épaisseur de placage or de 30u". Résistance à la sulfidation. Puce d'origine Samsung. Température étendue de -40°C à +85°C. Testé à 100% pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC enregistré.240 broches.512MX8.Puce Samsung.

8G DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

8GB ECC-DDR3-1600 1,35V & 1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240 broches.512MX8.Puce Samsung.

2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 256MX8. Puce Samsung.

4GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240 broches. 512MX8. Puce Samsung.

4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

Advantech 4G DDR3-1600 240 broches 256MX8 1,35V Non tamponnée Puce Samsung DDR3-1600. 240 broches. 256MX8. Samsung.

4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC enregistré. 240 broches. 512MX8. Puce Samsung.