Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1,35V Nepufferovaná Paměť s Samsung Čipem DDR3 1600Mhz Nepufferovaný DIMM. 30μ" tloušťka zlatého pokovení. Spotřeba energie 1,35V. Původní čip Samsung.
(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Čip Micron.
4G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-Pinový. 512MX8. Samsung Čip.
Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1.35V Nevyrovnaný Samsung Čip DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Samsung čip.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ 30u" tloušťka zlata. Odolnost proti síření. Originální čip Samsung. Široký teplotní rozsah -40 °C až +85 °C. 100% testováno pro stabilitu, kompatibilitu a výkon.
8G R-DDR3-1600 1,35V & 1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registrovaná. 240 pinů. 512MX8. Samsung čip.
8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Čip Hynix.
8GB ECC-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-pinový.512MX8.Samsung čip.
2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 256MX8. Čip Samsung.
4GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-pinů.512MX8.Samsung čip.
4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Čip Hynix.
Advantech 4G DDR3-1600 240Pin 256MX8 1,35V Unbuffered Paměť s Samsung Čipem DDR3-1600. 240-Pin. 256MX8. Samsung.
4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registrovaná. 240-Pinová. 512MX8. Samsung čip.