* Obrázky jsou pouze ilustrační. Viz specifikace výrobce (datasheet).
Soubory ke stažení:
insert_drive_file AQD-SD3L8GN16-SG20221117085754.pdf
Obchodní podmínky
| Paměť | Výrobce | Advantech |
| Kapacita | 8 GB | |
| Výrobce čipu | SAMSUNG | |
| Organizace čipu | 512M X 8 | |
| Rank | 2 Rank | |
| Rozhraní | 204 pin | |
| Frekvence | 1600 MHz | |
| Napětí | 1,35 V | |
| Výška PCB | 1,18" | |
| Funkce | Unbuffered | |
| Provozní teplota | 0 ~ 85°C |
Parametry
Po vytvoření objednávky obdržíte e-mail se zálohovou fakturou, kde je podrobně vypočtena nejvýhodnější cena dopravy. U nás nezaplatíte skryté poplatky, cenu dopravy nepromítáme do ceny produktu. Dále vám poskytneme odhadovaný termín dodání. Potvrzením zálohové faktury nám dáváte zelenou pro expedici vaší objednávky a souhlasíte s našimi dodacími podmínkami.
Jsme hrdým certifikovaným partnerem značky Advantech, Westermo, Elproma a Korenix. Díky tomu můžete mít jistotu, že nakupujete kvalitní a ověřené produkty přímo od důvěryhodného dodavatele. Navštivte odkaz a ověřte naši spolupráci přímo na oficiálních stránkách.
Náš tým má bohaté zkušenosti s návrhem a realizací velkých průmyslových projektů. Již jsme spolupracovali s významnými průmyslovými podniky, metrem a železniční dopravou. Pokud máte v plánu větší projekt nebo potřebujete konzultaci, jsme zde pro vás! Naši specialisté vám rádi pomohou a připraví nabídku přesně na míru vašim potřebám.
Máte dotazy nebo potřebujete rychlou pomoc? Náš zákaznický servis je připraven vám odpovědět co nejrychleji a poskytnout vám veškeré informace, které potřebujete.
Věříme v kvalitu našich produktů a služeb. Pokud z nějakého důvodu nebudete spokojeni, rádi vám pomůžeme najít řešení.
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Unbuffered Samsung Chip DDR3 1600Mhz Unbuffered SO-DIMM.30μ" tloušťka zlacení.Spotřeba energie 1,35V.Původní čip Samsung.
Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1,35V Nepufferováno Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 256MX8. Samsung Čip.
(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Micron.
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Unbuffered Samsung Chip DDR3 1600Mhz Unbuffered SO-DIMM.30μ" tloušťka zlacení.Spotřeba energie 1,35V.Původní čip Samsung.
Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1,35V Nepufferováno Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 256MX8. Samsung Čip.
(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Micron.
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
