SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použity originální Samsung/Micron IC. Podpora funkce On-Die ECC. Integrovaný nezávislý Power Management IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Přijaty originální IC od společností Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Zabudovaný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použití originálních IC od Samsung/Micron.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěný nezávislý řídicí IC pro napájení.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použit originální Samsung IC. Integrovaný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použit původní IC od Samsungu. Zabudovaný samostatný Power Management IC. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použitý původní Samsung/Micron IC.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěný nezávislý Power Management IC.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použit originální Samsung/Micron IC.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěné nezávislé řízení napájení IC.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originální Samsung/Hynix IC. Vestavěný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originální IC Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěné nezávislé řízení napájení IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Přenosová rychlost dat: 4800/5600/6400 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48/64GB.Použité originální čipy Samsung/Hynix/Micron.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěný nezávislý Power Management IC.Provozní teplota: 0°C až 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použity původní IC od Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěné nezávislé řízení napájení IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 6400 48GB 3Gx8 (-25 až 95) Hynix Rychlost přenosu dat: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Použity originální paměťové čipy (IC) Hynix. Podpora funkce On-Die ECC. Integrovaný nezávislý IC pro správu napájení (PMIC). CKD a TVS dioda na modulu. Provozní teplota: -25 °C až 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 64 GB 4Gx8 (-25 až 95) Hynix Rychlost přenosu dat: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Osazeno originálními paměťovými čipy (IC) Hynix. Podpora funkce On-Die ECC. Integrovaný nezávislý obvod pro správu napájení (PMIC). Na modulu osazeno CKD a TVS dioda. Provozní teplota: -25 °C až 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 16GB 2Gx8 (-25 až 95) Hynix Rychlost přenosu dat: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Použity originální paměťové čipy (IC) Hynix. Podpora funkce On-Die ECC. Integrovaný nezávislý IC pro správu napájení (PMIC). Na modulu osazeny CKD a TVS dioda. Provozní teplota: -25 °C až 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 32GB 2Gx8 (-25 až 95 °C) Hynix Rychlost přenosu dat: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Použity originální paměťové čipy (IC) Hynix. Podpora funkce On-Die ECC. Integrovaný nezávislý IC pro správu napájení (PMIC). Na modulu CKD a TVS dioda. Provozní teplota: -25 °C až 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 8 GB 1Gx16 (-25 až 95 °C) Hynix Rychlost přenosu dat: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Osazeno originálními paměťovými čipy (IC) Hynix. Podpora funkce On-Die ECC. Integrovaný nezávislý IC pro správu napájení (PMIC). Na modulu CKD a TVS dioda. Provozní teplota: -25 °C až 95 °C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8GB/16GB/32GB.Použité originální čipy Samsung/Hynix.Integrovaný nezávislý IC pro správu napájení.Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Hynix Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originální Samsung/Hynix IC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použití originálních čipů Samsung/Hynix. Vestavěný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použité originální IC od Samsung/Micron.Podpora funkce On-Die ECC.Integrovaný nezávislý IC pro řízení napájení.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 48GB 3Gx8 Micron Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originální čip Samsung/Micron IC. Podpora funkce On-Die ECC. Zabudovaný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použitý originální IC od Samsung/Micron.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěný nezávislý Power Management IC.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použití originálních IC od Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použit původní Samsung IC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originální Samsung IC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 95 °C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použity originální Samsung/Micron IC. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěný nezávislý Power Management IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originální Samsung IC. Zabudovaný samostatný IC pro řízení napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.