16GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Originální čip SAM. Průmyslový design pro zlepšenou spolehlivost. PCB: 30μ zlatý kontakt. Odolnost proti sulfidaci. Podpora pološirokého teplotního rozsahu -20~85℃.
Advantech 16G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Navýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4,8GT/s. Obnova ve stejném banku. On-die ECC pro zvýšenou spolehlivost a dostupnost systému (RAS).
Advantech 32GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Nevyrovnaný Hynix Čip Originální Hynix čip. Zvýšený počet banků a délka výbuchu. DDR5 5.6GT/s. Obnovení ve stejném banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Zvýšený počet bank a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova stejné banky. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Původní čip SAM.PCB: 30μ zlatý kontakt.Odolnost proti sulfidaci.On-die ECC pro vylepšenou spolehlivost a dostupnost systému (RAS).Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní SAM čip. PCB: 30μ zlatý kontakt. Odolnost proti sulfidaci. Vestavěné ECC pro zvýšenou spolehlivost a dostupnost systému (Enhanced RAS). Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dva 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejném banku. Integrované ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a servis (RAS).
Advantech 8G DDR5-4800 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení stejného banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Původní čip Hynix. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnovení ve stejném banku. Vestavěné ECC pro zvýšenou spolehlivost a dostupnost (RAS).
16GB R-DDR5 5600 R-DIMM 2Gx8 1,1 V SAM Originální čip SAM. Průmyslové provedení pro vyšší spolehlivost. Kompatibilní se serverovou platformou. 30 µ” pozlacené kontakty (golden finger). Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.
16GB DDR5-5600 2GX8 1,1 V SAM Originální čip SAM. PCB: 30 μ zlaté kontakty (gold finger). Ochrana proti sulfidaci (anti-sulfuration). On-die ECC pro zvýšenou spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS). Provozní teplota: 0 °C až 85 °C.
8GB DDR5-5600 1GX16 1,1V SAM -20~85℃ Originální čip SAM. Průmyslový design pro zvýšenou spolehlivost. PCB: 30μ zlatý kontakt. Ochrana proti sulfidaci. Podpora polovičně širokého teplotního rozsahu -20~85℃.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Původní čip SAM. Průmyslový design pro zlepšenou spolehlivost. PCB: 30μ zlatý konektor. Odolnost vůči sulfidaci. Podpora pro poloviční široký rozsah teplot -20~85℃.
32GB R-DDR5 5600 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Původní čip SAM. Průmyslový design pro zlepšenou spolehlivost. Kompatibilní se serverovou platformou. 30u” zlatý kontakt. Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.
Advantech 32G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení ve stejném banku. Vestavěné ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Čip Původní čip Hynix. Zvýšený počet bank a délka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnovení stejné banky. On-die ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS).
16 GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dva 32bitové podkanály. Více banků a prodloužená délka výbuchu. DDR5 4,8 GT/s. Obnovení toho samého banku. On-die ECC pro vylepšené RAS.
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip od Samsungu. Dva 32bitové subkanály. Zvýšený počet bank a délka výbuchu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS).