Paměťový modul DRAM

4G DDR3-1600 512X8 1.35V & 1.5V SAM DDR3 1600Mhz Unbuffered DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,35 V. Originální čip Samsung.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM Paměť DDR3 1600Mhz bez vyrovnávací paměti SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,35 V. Originální čip Samsung.

16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16 GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Bez vyrovnávací paměti.

8G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM DDR3 1600Mhz Unbuffered DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,35 V. Originální čip Samsung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Samsung.

8GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 8 GB. DDR 4 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Bez vyrovnávací paměti.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Samsung.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

8GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.

4GB DDR4 3200 512MX16 SAM 4 GB. DDR 4 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Bez vyrovnávací paměti.

16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

2G SO-DDR3-1600 256X8 1.35V SAM(G) DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 256MX8. Čip Samsung.

8G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1,1V Unbuffered Hynix Chip Originální čip Hynix. Zvýšené banky a délka série. DDR5 5,6GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Originální čip Hynix. Zvýšené banky a délka série. DDR5 5,6GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200-pinový. 64MBX8. Promočip.

2G SO-DDR3-1600 256X16 1.35V&1.5V SAM Čip DRAM společnosti Samsung. Specifikace DDR3. Nevyrovnaný modul DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". 2 GB.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 512MX8. Čip Samsung.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Čip DRAM společnosti Samsung. Specifikace DDR4. Nevyrovnaný modul DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". 4 GB.

8GB SO-DDR5-4800 1GX16 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32 GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Bez vyrovnávací paměti.

16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1,2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.

4G SO-DDR3-1600 256X8 1.35V 1.5V SAM DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 256MX8. Čip Samsung.

(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Čip Micron.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Čip DRAM společnosti Micron. DDR4. Registrované moduly DIMM. Zlaté hrany kontaktů. 64 GB.

32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.

8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8 GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. ECC.

8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registered. 240-Pin. 512MX8. Čip Samsung.

(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.

4G SO-DDR4-3200 512GbX16 1,2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung. široký rozsah teplot od -40° do 85°C.

Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Originální čip Hynix. Zvýšené banky a délka série. DDR5 5,6GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Originální čip Hynix. Zvýšené banky a délka série. DDR5 5,6GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip Originální čip Hynix. Zvýšené banky a délka série. DDR5 5,6GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

32G ECC-SODDR4 3200 1,2V 2GbX8 SAM 32 GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. ECC.

16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1,1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

2G DDR3-1600 256X8 1.35V&1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-Pin. 256MX8. Čip Samsung.

8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Velmi nízký profil. Široká teplota. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR).

32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1,1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

8G DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Čip Samsung.

4GB DDR4 SODIMM-3200 512Mbx16 SAM DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.

8GB DDR5-4800 1GX16 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.

Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2 DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Podpora detekce a opravy chyb ECC. Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR).