16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Rychlost 3200MHz. 30u" tloušťka zlacení. Odolnost proti síření. Bez vyrovnávací paměti.
32G DDR4-3200 2GX8 1,2 V SAM −20 až 85 °C Originální čip SAM.Průmyslové provedení pro vyšší spolehlivost.PCB: 30 μ zlaté kontakty (gold finger).Ochrana proti sulfidaci.Podpora širokého teplotního rozsahu SEMI: −20 až 85 °C.
16GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Originální čip SAM. Průmyslový design pro zlepšenou spolehlivost. PCB: 30μ zlatý kontakt. Odolnost proti sulfidaci. Podpora pološirokého teplotního rozsahu -20~85℃.
16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Rychlost 3200MHz. 30u" tloušťka zlata. Odolnost proti síření. Bez vyrovnávací paměti.
Advantech 16G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Navýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4,8GT/s. Obnova ve stejném banku. On-die ECC pro zvýšenou spolehlivost a dostupnost systému (RAS).
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Nevyrovnaný Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Samsung Čip.
32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Rychlost 3200MHz. 30u" tloušťka zlatého pokovení. Odolnost proti sulfidaci. Bez vyrovnávací paměti.
Advantech 32GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Nevyrovnaný Hynix Čip Originální Hynix čip. Zvýšený počet banků a délka výbuchu. DDR5 5.6GT/s. Obnovení ve stejném banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1,35V Nepufferovaná Paměť s Samsung Čipem DDR3 1600Mhz Nepufferovaný DIMM. 30μ" tloušťka zlatého pokovení. Spotřeba energie 1,35V. Původní čip Samsung.
32G SO-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -20~85℃ Původní čip SAM. Průmyslový design pro zlepšenou spolehlivost. PCB: 30μ zlatý kontakt. Odolnost vůči sulfidaci. Podpora polovičního širokého teplotního rozsahu -20~85℃.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Zvýšený počet bank a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova stejné banky. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Původní čip SAM.PCB: 30μ zlatý kontakt.Odolnost proti sulfidaci.On-die ECC pro vylepšenou spolehlivost a dostupnost systému (RAS).Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2Gx8 1.1V Unbuffered Samsung čip Původní Samsung čip.Dva 32bitové subkanály.Zvýšený počet bank a délka burstu.DDR5 4.8GT/s.Obnova ve stejném banku.On-die ECC pro vylepšenou RAS.
32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka zlacení 30u". Odolnost proti sulfidaci. Bez vyrovnávací paměti.
32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Rychlost 3200MHz. 30μ" tloušťka zlatého pokovení. Odolnost proti sulfidaci. ECC.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova stejného banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Čip Micron.
4G R-DDR4-2400 1.2V 512X8 SAM DDR4-2400 Registrovaný DIMM – standardní výška.Tloušťka zlacení 30μ" (Standard IPC-2221).Spotřeba energie 1,2 V.Automatické obnovování s nízkou spotřebou (LPASR).Nabízí lepší spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní SAM čip. PCB: 30μ zlatý kontakt. Odolnost proti sulfidaci. Vestavěné ECC pro zvýšenou spolehlivost a dostupnost systému (Enhanced RAS). Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dva 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejném banku. Integrované ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a servis (RAS).
4G DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
Advantech 8G DDR5-4800 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení stejného banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
16GB ECC DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Originální čip SAM. Ochrana proti sulfidaci. PCB: 30μ pozlacené kontakty (gold finger). Vestavěný nezávislý integrovaný obvod pro správu napájení (PMIC). Podpora funkce ECC.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Původní čip Hynix. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnovení ve stejném banku. Vestavěné ECC pro zvýšenou spolehlivost a dostupnost (RAS).
8 GB DDR4-3200 1G×8 1,2 V SAM -20 až 85 ℃ Originální čip SAM. Průmyslové provedení pro vyšší spolehlivost. PCB: 30 μ pozlacené kontakty (gold finger). Ochrana proti sulfidaci. Podpora rozšířeného teplotního rozsahu SEMI -20 až 85 ℃.
16GB DDR4-3200 1Gx8 1,2 V SAM -20~85 ℃ Originální čip SAM. Průmyslové provedení pro vyšší spolehlivost. PCB: 30 μ zlaté kontakty (gold finger). Ochrana proti sulfidaci. Podpora rozšířeného teplotního rozsahu SEMI Wide-temp -20~85 ℃.
16G SO-DDR4-3200 1GX8 1,2 V SAM -20~85℃ Originální čip SAM.Průmyslové provedení pro vyšší spolehlivost.PCB: 30μ pozlacené kontakty (gold finger).Ochrana proti sulfidaci.Podpora rozšířeného teplotního rozsahu -20~85℃.
16GB R-DDR5 5600 R-DIMM 2Gx8 1,1 V SAM Originální čip SAM. Průmyslové provedení pro vyšší spolehlivost. Kompatibilní se serverovou platformou. 30 µ” pozlacené kontakty (golden finger). Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.
32G R-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -40~85C Registrovaný DIMM modul. Tloušťka pozlacení kontaktů 30 µ". Odolnost proti sulfidaci (anti-sulfurization). Napájecí napětí 1,2 V. Originální čip Samsung. Široký teplotní rozsah od -40 °C do 85 °C.
16G R-DDR4-3200 1GX8 1,2 V SAM -40~85C Registrovaný modul DIMM.Tloušťka pozlacení 30u".Odolnost proti sulfidaci (anti-sulfurization).Napájecí napětí 1,2 V.Originální čip Samsung.Široký teplotní rozsah od -40 °C do 85 °C.
16GB DDR5-5600 2GX8 1,1 V SAM Originální čip SAM. PCB: 30 μ zlaté kontakty (gold finger). Ochrana proti sulfidaci (anti-sulfuration). On-die ECC pro zvýšenou spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS). Provozní teplota: 0 °C až 85 °C.
8G SO-DDR4-3200 1GX8 1.2V SAM -20~85℃ Původní čip SAM.Průmyslový design pro zlepšenou spolehlivost.PCB: 30μ zlatý kontakt.Odolnost proti sulfidaci.Podpora polovičního širokého teplotního rozsahu -20~85℃.
8GB DDR5-5600 1GX16 1,1V SAM -20~85℃ Originální čip SAM. Průmyslový design pro zvýšenou spolehlivost. PCB: 30μ zlatý kontakt. Ochrana proti sulfidaci. Podpora polovičně širokého teplotního rozsahu -20~85℃.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Původní čip SAM. Průmyslový design pro zlepšenou spolehlivost. PCB: 30μ zlatý konektor. Odolnost vůči sulfidaci. Podpora pro poloviční široký rozsah teplot -20~85℃.
32GB ECC DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Originální čip SAM.Ochrana proti sulfidaci.PCB: 30μ zlatý konektor.Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení.Podpora funkce ECC.
4G SO-DDR4-3200 512X16 1.2V SAM -20~85℃ Původní čip SAM. Průmyslový design pro zvýšenou spolehlivost. PCB: 30μ zlatý konektor. Ochrana proti sulfidaci. Podpora polovičního rozšířeného teplotního rozsahu -20~85℃.
32GB R-DDR5 5600 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Původní čip SAM. Průmyslový design pro zlepšenou spolehlivost. Kompatibilní se serverovou platformou. 30u” zlatý kontakt. Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.
4G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-Pinový. 512MX8. Samsung Čip.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200MHz Unbuffered SO-DIMM. 30u" tloušťka zlatého pokovení. Odolnost proti sulfidaci. Spotřeba energie 1,2V. Původní čip Samsung. Široký rozsah teplot od -40° do 85°C.
Advantech 32G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení ve stejném banku. Vestavěné ECC pro vylepšenou RAS.
32G SO-DDR4-3200 2GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM. 30u" tloušťka zlatého pokovení. Odolnost proti síření. Spotřeba energie 1,2V. Původní čip Samsung. 100% testováno pro stabilitu, kompatibilitu a výkon.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Původní čip Hynix. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 5.6GT/s. Refresh ve stejném banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Původní čip Hynix. Navýšený počet banků a délka výbuchu. DDR5 5,6GT/s. Obnovení stejného banku. Integrované ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Čip Původní čip Hynix. Zvýšený počet bank a délka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnovení stejné banky. On-die ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS).
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip Původní čip Hynix. Zvýšený počet bank a délka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnova stejné banky. On-die ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS).
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1,2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM.30u" tloušťka zlatého pokovení.Odolnost proti síření.Spotřeba energie 1,2V.Původní čip Samsung.100% testováno pro stabilitu, kompatibilitu a výkon.
16 GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dva 32bitové podkanály. Více banků a prodloužená délka výbuchu. DDR5 4,8 GT/s. Obnovení toho samého banku. On-die ECC pro vylepšené RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 1Gx16 1.1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Navýšený počet banků a délka výbuchu. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejném banku. On-die ECC pro vylepšený RAS.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Registrované ECC DIMM. Velmi nízký profil. Široký rozsah teplot. Spotřeba energie 1,2V. Nízkoenergetické automatické samostatné obnovení (LPASR).
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4,8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a údržbu (RAS).
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip od Samsungu. Dva 32bitové subkanály. Zvýšený počet bank a délka výbuchu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS).
Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1.35V Nevyrovnaný Samsung Čip DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Samsung čip.
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 registrovaná ECC DIMM. Spotřeba energie 1,2V. Podporuje detekci a opravu chyb ECC. Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nízkopříkonové automatické samostatné obnovení (LPASR).
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Čip DRAM Micron. DDR4. Registrované DIMM. Zlaté kontakty na okrajích. 64GB.
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DDR4-3200 Registrované ECC DIMM.Spotřeba energie 1,2V.Podporuje detekci a opravu chyb ECC.Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici.Nízkospotřebové automatické samostatné obnovení (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registrovaný ECC DIMM. Spotřeba energie 1,2V. Podporuje detekci a opravu chyb ECC. Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nízkoenergetická automatická samoobnova (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ 30u" tloušťka zlata. Odolnost proti síření. Originální čip Samsung. Široký teplotní rozsah -40 °C až +85 °C. 100% testováno pro stabilitu, kompatibilitu a výkon.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1,35V & 1,5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204-Pinový.512MX8.Samsung čip.
8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB.Rychlost 3200MHz.30u" tloušťka zlatého pokovení.Odolnost proti sulfidaci.ECC.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
8G R-DDR3-1600 1,35V & 1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registrovaná. 240 pinů. 512MX8. Samsung čip.
8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Čip Hynix.
8GB ECC-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-pinový.512MX8.Samsung čip.
1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200-pinový. 64MX8. Čip Micron.
1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200-Pinů. 64MBX8. Čip Promos.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registered DIMM. Velmi nízký profil. Široký teplotní rozsah. Tloušťka pozlacení 30μ". Spotřeba energie 1,2V. Zajišťuje vyšší spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Zajišťuje lepší spolehlivost, dostupnost a provozuschopnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Zajišťuje lepší spolehlivost, dostupnost a provozuschopnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka zlacení 30u". Odolnost proti sulfidaci. ECC.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.
16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.
32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.
16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Hynix.
(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka zlatého pokovení 30u". Odolnost proti sulfidaci. ECC.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.
16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 4Gbx4 REG Čip DRAM společnosti Micron. Specifikace DDR4. Registrované moduly DIMM. Zlaté hrany kontaktů. 64 GB.
DDR2 800 DIMM 2GB 128x8 Nanya Nanya DRAM čip. DDR2. Long DIMM. Unbuffered. 2GB.
2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 256MX8. Čip Samsung.
4GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-pinů.512MX8.Samsung čip.
4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Čip Hynix.
Advantech 4G DDR3-1600 240Pin 256MX8 1,35V Unbuffered Paměť s Samsung Čipem DDR3-1600. 240-Pin. 256MX8. Samsung.
4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registrovaná. 240-Pinová. 512MX8. Samsung čip.
(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.
(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
