Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2Gx8 1.1V Unbuffered Samsung čip Původní Samsung čip.Dva 32bitové subkanály.Zvýšený počet bank a délka burstu.DDR5 4.8GT/s.Obnova ve stejném banku.On-die ECC pro vylepšenou RAS.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova stejného banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Původní čip Hynix. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 5.6GT/s. Refresh ve stejném banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Původní čip Hynix. Navýšený počet banků a délka výbuchu. DDR5 5,6GT/s. Obnovení stejného banku. Integrované ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip Původní čip Hynix. Zvýšený počet bank a délka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnova stejné banky. On-die ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS).
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 1Gx16 1.1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Navýšený počet banků a délka výbuchu. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejném banku. On-die ECC pro vylepšený RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4,8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a údržbu (RAS).