SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Přijaty originální IC od společností Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Zabudovaný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použity originální Samsung/Micron IC. Podpora funkce On-Die ECC. Integrovaný nezávislý Power Management IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použití originálních IC od Samsung/Micron.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěný nezávislý řídicí IC pro napájení.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použit originální Samsung IC. Integrovaný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použit originální Samsung/Micron IC.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěné nezávislé řízení napájení IC.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originální IC Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěné nezávislé řízení napájení IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originální Samsung/Micron IC. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použitý původní Samsung/Micron IC.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěný nezávislý Power Management IC.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Použitá originální IC od Samsung/Micron. Podpora funkce ECC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Přenosová rychlost: 5600/4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní: Použité Samsung/Micron IC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Podpora funkce ECC. Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.
ECC SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Použité originální Samsung/Micron IC. Podpora funkce ECC. Vestavěné nezávislé řízení napájení IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použití originálních čipů Samsung/Hynix. Vestavěný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Přenosová rychlost dat: 4800/5600/6400 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48/64GB.Použité originální čipy Samsung/Hynix/Micron.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěný nezávislý Power Management IC.Provozní teplota: 0°C až 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použity původní IC od Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěné nezávislé řízení napájení IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Přenosová rychlost: 5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48 GB. Použity originální čipy Samsung/Hynix/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Integrovaný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8GB/16GB/32GB.Použité originální čipy Samsung/Hynix.Integrovaný nezávislý IC pro správu napájení.Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Hynix Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originální Samsung/Hynix IC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600/6400 MT/s. Kapacita: 16/32/64/128GB. 100% testování kvality. Kompatibilní s serverovou platformou. Použit původní IC čip. 30u” zlatý konektor. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Přenosová rychlost dat: 4800/5600/6400 MT/s. Kapacita: 16/32/64/128GB. 100% testování screeningem. Kompatibilní s platformou serveru. Použit originální IC čip. 30u” zlatý konektor. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600/6400 MT/s. Kapacita: 16/32/64/128GB. 100% testování screeningem. Kompatibilní se serverovou platformou. Použit originální IC čip. 30u” zlatý kontakt. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Přenosová rychlost: 4800/5600/6400 MT/s. Kapacita: 16/32/64/128GB. 100% testování výběrem. Kompatibilní se serverovou platformou. Původní IC čip použit. 30u” zlatý kontakt. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použit původní IC od Samsungu. Zabudovaný samostatný Power Management IC. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použité originální IC od Samsung/Micron.Podpora funkce On-Die ECC.Integrovaný nezávislý IC pro řízení napájení.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 48GB 3Gx8 Micron Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originální čip Samsung/Micron IC. Podpora funkce On-Die ECC. Zabudovaný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 64GB 4Gx4 Hynix Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 16/32/64/128GB. 100% testování screeningem. Kompatibilní s platformou serveru. Použit originální IC čip. 30u” zlatý konektor. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originální IC Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Integrovaný nezávislý Power Management IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Použití původního Samsung IC. Podpora funkce ECC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použitý originální IC od Samsung/Micron.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěný nezávislý Power Management IC.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použití originálních IC od Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Použitý originální Samsung/Micron IC. Podpora funkce ECC. Vestavěné nezávislé řízení napájení IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použit původní Samsung IC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originální Samsung IC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 16/32/64/128GB. 100% testování kvality. Kompatibilní s platformami serverů. Přijaty originální IC čipy. 30u” zlatý konektor. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 16/32/64/128GB.100% testování kvality.Kompatibilní se serverovou platformou.Použitý originální IC čip.30u” zlaté kontakty.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 16/32/64/128GB. 100% testování screeningem. Kompatibilní s platformou serverů. Použit originální IC čip. 30u" zlatý kontakt. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 95 °C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použitý originální Samsung/Micron IC.Podpora funkce ECC na čipu.Integrovaný nezávislý Power Management IC.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použity originální Samsung/Micron IC. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěný nezávislý Power Management IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originální Samsung IC. Zabudovaný samostatný IC pro řízení napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.
