SO-DIMM DDR3 paměť

Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Nevyrovnaný Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Samsung Čip.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.

8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1,35V & 1,5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204-Pinový.512MX8.Samsung čip.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1,5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-pinový. 128MX8. Čip Samsung.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM Paměť DDR3 1600Mhz bez vyrovnávací paměti SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,35 V. Originální čip Samsung.

4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-pinový. 512Mx8. Čip Samsung.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Micron.

Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1,35V Nepufferováno Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 256MX8. Samsung Čip.

Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Unbuffered Samsung Chip DDR3 1600Mhz Unbuffered SO-DIMM.30μ" tloušťka zlacení.Spotřeba energie 1,35V.Původní čip Samsung.