* Obrázky jsou pouze ilustrační. Viz specifikace výrobce (datasheet).
Soubory ke stažení:
insert_drive_file AQD-SD4U8GE32-SE20200930103823.pdf
Obchodní podmínky
| Paměť | Výrobce | Advantech |
| Kapacita | 8 GB | |
| Výrobce čipu | SAMSUNG | |
| Organizace čipu | 1 G x 8 | |
| Počet řad | 1 řada | |
| Rozhraní | 260 pin | |
| Frekvence | 3200 Mhz | |
| Napětí | 1.2 V | |
| Výška PCB | 1.18" | |
| Vlastnost | ECC | |
| Provozní teplota | 0 ~ 85°C |
Po vytvoření objednávky obdržíte e-mail se zálohovou fakturou, kde je podrobně vypočtena nejvýhodnější cena dopravy. U nás nezaplatíte skryté poplatky, cenu dopravy nepromítáme do ceny produktu. Dále vám poskytneme odhadovaný termín dodání. Potvrzením zálohové faktury nám dáváte zelenou pro expedici vaší objednávky a souhlasíte s našimi dodacími podmínkami.
Jsme hrdým certifikovaným partnerem značky Advantech, Westermo, Elproma a Korenix. Díky tomu můžete mít jistotu, že nakupujete kvalitní a ověřené produkty přímo od důvěryhodného dodavatele. Navštivte odkaz a ověřte naši spolupráci přímo na oficiálních stránkách.
Náš tým má bohaté zkušenosti s návrhem a realizací velkých průmyslových projektů. Již jsme spolupracovali s významnými průmyslovými podniky, metrem a železniční dopravou. Pokud máte v plánu větší projekt nebo potřebujete konzultaci, jsme zde pro vás! Naši specialisté vám rádi pomohou a připraví nabídku přesně na míru vašim potřebám.
Máte dotazy nebo potřebujete rychlou pomoc? Náš zákaznický servis je připraven vám odpovědět co nejrychleji a poskytnout vám veškeré informace, které potřebujete.
Věříme v kvalitu našich produktů a služeb. Pokud z nějakého důvodu nebudete spokojeni, rádi vám pomůžeme najít řešení.
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.
4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.
4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
