* Obrázky jsou pouze ilustrační. Viz specifikace výrobce (datasheet).
Soubory ke stažení:
insert_drive_file AQD-SD5V8GN48-SC_datasheet20221005114917.pdf
Obchodní podmínky
| Paměť | Výrobce | Advantech |
| Kapacita | 8 GB | |
| Výrobce čipu | SAMSUNG | |
| Organizace čipu | 1 G x 8 | |
| Rank | 1 Rank | |
| Rozhraní | 262 pin | |
| Frekvence | 4800 MHz | |
| Napětí | 1.1V | |
| Výška PCB | 1.18" | |
| Funkce | Nepolstrovaná | |
| Provozní teplota | 0 ~ 85°C |
Po vytvoření objednávky obdržíte e-mail se zálohovou fakturou, kde je podrobně vypočtena nejvýhodnější cena dopravy. U nás nezaplatíte skryté poplatky, cenu dopravy nepromítáme do ceny produktu. Dále vám poskytneme odhadovaný termín dodání. Potvrzením zálohové faktury nám dáváte zelenou pro expedici vaší objednávky a souhlasíte s našimi dodacími podmínkami.
Jsme hrdým certifikovaným partnerem značky Advantech, Westermo, Elproma a Korenix. Díky tomu můžete mít jistotu, že nakupujete kvalitní a ověřené produkty přímo od důvěryhodného dodavatele. Navštivte odkaz a ověřte naši spolupráci přímo na oficiálních stránkách.
Náš tým má bohaté zkušenosti s návrhem a realizací velkých průmyslových projektů. Již jsme spolupracovali s významnými průmyslovými podniky, metrem a železniční dopravou. Pokud máte v plánu větší projekt nebo potřebujete konzultaci, jsme zde pro vás! Naši specialisté vám rádi pomohou a připraví nabídku přesně na míru vašim potřebám.
Máte dotazy nebo potřebujete rychlou pomoc? Náš zákaznický servis je připraven vám odpovědět co nejrychleji a poskytnout vám veškeré informace, které potřebujete.
Věříme v kvalitu našich produktů a služeb. Pokud z nějakého důvodu nebudete spokojeni, rádi vám pomůžeme najít řešení.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova stejného banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a údržbu (RAS).
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4,8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2Gx8 1.1V Unbuffered Samsung čip Původní Samsung čip.Dva 32bitové subkanály.Zvýšený počet bank a délka burstu.DDR5 4.8GT/s.Obnova ve stejném banku.On-die ECC pro vylepšenou RAS.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova stejného banku. On-die ECC pro vylepšenou RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou spolehlivost, dostupnost a údržbu (RAS).
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Samsung Chip Původní čip Samsung. Dvojité 32bitové podkanály. Zvýšený počet banků a délka burstu. DDR5 4,8GT/s. Obnovení stejné banky. Integrované ECC pro vylepšenou RAS.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2Gx8 1.1V Unbuffered Samsung čip Původní Samsung čip.Dva 32bitové subkanály.Zvýšený počet bank a délka burstu.DDR5 4.8GT/s.Obnova ve stejném banku.On-die ECC pro vylepšenou RAS.
