DRAM memória modul

16 GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Sebesség 3200MHz. 30u" aranyozás vastagsága. Kénezés elleni ellenállás. Puffer nélküli.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatorna. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz puffereletlen UDIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V puffer nélküli Hynix chip 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V nem pufferelt Hynix eredeti chip. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 5.6GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

1G SO-DDR1 400 64X8 PROMÓ 1G SO-DDR1 400 64X8 PROMÓK DDR1-400. 200 tűs. 64MBX8. Promos Chip.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240 tűs. 512MX8. Samsung chip.

32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Sebesség 3200MHz. 30u" aranyozás vastagsága. Kénezés elleni ellenállás. Puffer nélküli.

16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz puffer nélküli SO-DIMM 3200Mhz. 30u" aranyozás vastagsága. Kénezés elleni ellenállás. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény.

(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240 tűs. 512MX8. Micron chip.

4G DDR4-2400 512X16 1,2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Micron DRAM chip. DDR4. Regisztrált DIMM. Arany élű érintkezők. 64GB.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX 32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.

8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC regisztrált. 240 tűs. 512MX8. Samsung chip.

(DEL21)Micron 4 GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V puffer nélküli Hynix chip 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Hynix Chip Hynix eredeti chip. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 5.6GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V puffer nélküli Hynix chip 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Hynix Chip Hynix eredeti chip. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 5.6GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatorna. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Sebesség 3200MHz. 30u" aranyozás vastagsága. Kénezés elleni ellenállás. ECC.

16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatorna. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40 ~ 85 ℃ SAM DDR4-3200 regisztrált ECC DIMM. Nagyon alacsony profil. Széles hőmérséklet. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).

32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatorna. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatorna. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatorna. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatorna. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatorna. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung eredeti chip. Kettős 32 bites alcsatorna. Megnövelt bankok és Burst-hosszúság. DDR5 4.8GT/s. Ugyanazon banki frissítés. On-die ECC a továbbfejlesztett RAS-hez.

Micron 8G DDR4 3200 288PIN 288PIN 1GbX8 REG 1.2 DDR4-3200 regisztrált ECC DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).

Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2 DDR4-3200 regisztrált ECC DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).

Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1. DDR4-3200 regisztrált ECC DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR).

Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.

8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ 30u" aranyozás vastagsága. Kénezés elleni ellenállás. Samsung eredeti chip. Széles hőmérséklet. -40C és +85C között. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Hynix chip.

8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Samsung chip.

8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240 tűs. 512MX8. Hynix chip.

1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron 1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200 tűs. 64MX8. Micron chip.

4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 regisztrált DIMM. Nagyon alacsony profil. Széles hőmérséklet. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Jobb megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS) biztosít, és javítja az adatok integritását.

Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.

(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz regisztrált DIMM. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Jobb megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS) biztosít, és javítja az adatok integritását.

(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz regisztrált DIMM. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Jobb megbízhatóságot, rendelkezésre állást és szervizelhetőséget (RAS) biztosít, és javítja az adatok integritását.

16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény.

(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

16G ECC DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Sebesség 3200MHz. 30u" aranyozás vastagsága. Kénezés elleni ellenállás. ECC.

16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Sebesség 3200MHz. 30u" aranyozás vastagsága. Kénezés elleni ellenállás. Puffer nélküli.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffereletlen UDIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM 32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.

32 GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Sebesség 3200MHz. 30u" aranyozás vastagsága. Kénezés elleni ellenállás. Puffer nélküli.

16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Hynix eredeti chip.

(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

16G ECC-SODDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16GB. Sebesség 3200MHz. 30u" aranyozás vastagsága. Kénezés elleni ellenállás. ECC.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX 32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM 32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V Megnövelt sávszélesség, akár 2600 Mbps-ig. Ipari állvány 30u aranyozás. Fokozott energiahatékonyság. RoHS kompatibilis és megfelel a JEDEC szabványoknak. Legfeljebb 32 GB.

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 288PIN 4Gbx4 REG Micron DRAM chip. DDR4 specifikáció. Regisztrált DIMM. Arany élű érintkezők. 64GB.

DDR2 800 DIMM 2 GB 128x8 Nanya Nanya DRAM chip. DDR2. Hosszú DIMM. Puffer nélküli. 2GB.

4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240 tűs. 512MX8. Hynix chip.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.

(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz puffereletlen UDIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

8G DDR4-2400 1GX8 1,2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

512MB SO-DDR1 400 64X8 PROMÓK DDR1-400 SO-DIMM. 200 tűs. 64MX8. Promos Chip.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1,5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204 tűs. 128MX8. Samsung chip.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz puffereletlen SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1,35V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Hynix chip.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIKROFON DDR3-1600 SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Micron chip.

(DEL21)Micron 8 GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.