DRAM-Speichermodul

16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V ungepuffert Hynix Chip Hynix Original-Chip. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 5.6GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200-Pin. 64MBX8. Promo-Chip.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 512MX8. Samsung Chip.

32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Ungepuffertes SO-DIMM. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Micron Chip.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Micron DRAM-Chip. DDR4. Registriertes DIMM. Goldrandkontakte. 64GB.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

8G R-DDR3-1600 1,35V&1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC registriert. 240-Pin. 512MX8. Samsung Chip.

(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V ungepuffert Hynix Chip Hynix Original-Chip. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 5.6GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V ungepuffert Hynix Chip Hynix Original-Chip. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 5.6GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

32G ECC-SODDR4 3200 1,2V 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. ECC.

16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 registriertes ECC-DIMM. Sehr niedriges Profil. Breite Temperatur. 1,2 V Stromverbrauch. Automatische Auffrischung bei niedrigem Stromverbrauch (LPASR).

32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.

Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2 DDR4-3200 registriertes ECC-DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Automatische Auffrischung bei niedrigem Stromverbrauch (LPASR).

Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2 DDR4-3200 registriertes ECC-DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Automatische Auffrischung bei niedrigem Stromverbrauch (LPASR).

Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1. DDR4-3200 registriertes ECC-DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Automatische Auffrischung bei niedrigem Stromverbrauch (LPASR).

Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Samsung Original-Chip. Breite Temp. -40C bis +85C. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Hynix-Chip.

8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1,35V&1,5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Samsung Chip.

8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Hynix-Chip.

1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200-Pin. 64MX8. Micron Chip.

4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 registrierte DIMM. Sehr niedriges Profil. Breite Temperatur. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.

Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.

(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.

16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC-DDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. ECC.

16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

16G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Hynix Original-Chip.

(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC-SODDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. ECC.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 4Gbx4 REG Micron DRAM-Chip. DDR4-Spezifikation. Registriertes DIMM. Goldrandkontakte. 64GB.

DDR2 800 DIMM 2GB 128x8 Nanya Nanya DRAM-Chip. DDR2. Langes DIMM. Ungepuffert. 2GB.

4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Hynix-Chip.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

512MB SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400 SO-DIMM. 200-Pin. 64MX8. Promo-Chip.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1,5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-Pin. 128MX8. Samsung Chip.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,35 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Hynix-Chip.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Micron Chip.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.