16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtung Dicke. Anti-Sulfurierungsbeständigkeit. Ungepuffert.
32G DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -20~85℃ Original SAM-Chip. Industrielles Design für erhöhte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ vergoldete Kontakte (Goldfinger). Antisulfidations-Schutz. SEMI-Unterstützung für erweiterten Temperaturbereich -20~85℃.
16GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ SAM Original Chip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. Semi-Wide-Temp-Unterstützung -20~85℃.
16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB.Geschwindigkeit 3200MHz.30u" Goldbeschichtungsdicke.Anti-Schwefelbeständigkeit.Ungepuffert.
Advantech 16G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung-Chip Samsung Original-Chip. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Gleiche-Bank-Aktualisierung. On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Ungepuffert Samsung Chip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Samsung Chip.
32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. Goldbeschichtung 30µ" Dicke. Anti-Sulfurierungsbeständigkeit. Ungepuffert.
Advantech 32GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Originaler Hynix-Chip. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 5,6GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-die ECC für verbesserten RAS.
Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1.35V Ungepuffert Samsung Chip DDR3 1600Mhz ungepufferte DIMM. 30μ" Goldbeschichtungsstärke. 1,35V Stromverbrauch. Original Samsung Chip.
32G SO-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip.Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit.PCB: 30μ Goldkontakt.Anti-Sulfuration.Teilweise Unterstützung für einen weiten Temperaturbereich von -20~85℃.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Samsung Originalchip. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-Die-ECC für verbessertes RAS.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM SAM Original-Chip. PCB: 30μ Goldkontakt. Anti-Sulfuration. On-Die ECC für verbessertes RAS. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2Gx8 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Original Samsung Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-Die ECC für verbesserte RAS.
32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. Goldbeschichtung Dicke 30u". Anti-Schwefelbildung Widerstand. Ungepuffert.
32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Schwefelbeständigkeit. ECC.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originaler Samsung-Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Micron Chip.
4G R-DDR4-2400 1.2V 512X8 SAM DDR4-2400 Registered DIMM – Standardhöhe. 30μ" Goldbeschichtungsdicke (IPC-2221 Standard). 1,2V Stromverbrauch. Niedriger Energieverbrauch mit automatischer Selbstaktualisierung (LPASR). Bietet bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbessert die Datenintegrität.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM SAM Original-Chip. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. On-Die ECC für verbessertes RAS. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originaler Samsung-Chip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
Advantech 8G DDR5-4800 288Pin 1GX16 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Samsung Original-Chip. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Gleichzeitige Bank-Aktualisierung. On-die ECC für verbesserte RAS.
16GB ECC DDR5-5600 2GX8 1,1V SAM SAM Original-Chip. Antisulfatierung. PCB: 30μ Goldfinger. Integrierter unabhängiger Power-Management-IC. Unterstützung der ECC-Funktion.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Originaler Hynix Chip. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 5.6GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
8 GB DDR4-3200 1Gx8 1,2 V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip. Industrielles Design für erhöhte Zuverlässigkeit. PCB: 30 μ Goldkontakte. Anti-Sulfurierung. SEMI Weittemperatur-Unterstützung -20~85℃.
16G DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ Original SAM-Chip. Industrie-Design für erhöhte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldkontaktfinger. Antisulfidierung. SEMI Weittemperatur-Unterstützung -20~85℃.
16G SO-DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip. Industrielles Design für erhöhte Zuverlässigkeit. PCB: 30 μ Gold-Finger. Anti-Sulfidierung. Unterstützung für Semi-Wide-Temperaturbereich -20~85℃.
16 GB R-DDR5 5600 R-DIMM 2Gx8 1,1 V SAM SAM Original-Chip. Industriedesign für erhöhte Zuverlässigkeit. Kompatibel mit Server-Plattformen. 30 µ" Goldkontakte („Golden Finger“). Betriebstemperatur: 0 °C bis 85 °C.
32G R-DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -40~85C Registered DIMM. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Beständigkeit gegen Sulfurierung (Antischwefelung). 1,2V Leistungsaufnahme. Original Samsung-Chip. Erweiterter Temperaturbereich von -40° bis 85°C.
16G R-DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -40~85C Registered DIMM.30 µ" Goldbeschichtungsdicke.Beständigkeit gegen Sulfidierung (Anti-Sulfurization).1,2V Leistungsaufnahme.Original Samsung-Chip.Erweiterter Temperaturbereich von -40° bis 85°C.
16GB DDR5-5600 2GX8 1,1V SAM SAM Original-Chip. PCB: 30 μ Goldfinger. Antisulfatierung. On-Die-ECC für verbesserte RAS. Betriebstemperatur: 0°C bis 85°C.
8G SO-DDR4-3200 1GX8 1.2V SAM -20~85℃ SAM Originalchip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. Semi-Weit-Temperaturbereich Unterstützung -20~85℃.
8GB DDR5-5600 1GX16 1.1V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. Semi-Breittemperaturunterstützung -20~85℃.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. Semi-Weit-Temperaturunterstützung -20~85℃.
32GB ECC DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM SAM Originalchip. Anti-Sulfuration. Leiterplatte: 30μ Goldkontakte. Integrierte unabhängige Stromverwaltungs-IC. Unterstützung der ECC-Funktion.
4G SO-DDR4-3200 512X16 1.2V SAM -20~85℃ SAM Originalchip.Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit.PCB: 30μ Goldfinger.Anti-Sulfuration.Semi-Breittemperaturbereich -20~85℃.
32GB R-DDR5 5600 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM SAM Original-Chip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. Kompatibel mit Server-Plattformen. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
4G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Samsung Chip.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Ungepuffertes SO-DIMM. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Anti-Schwefelungsbeständigkeit. 1,2V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip. Breiter Temperaturbereich von -40° bis 85°C.
Advantech 32G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Original Samsung Chip. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
32G SO-DDR4-3200 2GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM.30µ" Goldbeschichtungsdicke.Schwefelbeständige Ausführung.1,2V Energieverbrauch.Samsung Original-Chip.100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Hynix Originalchip. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 5,6GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Hynix Originalchip.Erhöhte Banks und Burst-Länge.DDR5 5,6GT/s.Same-Bank-Refresh.On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip Original Hynix Chip. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 5,6GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V Ungepuffert Hynix Chip Original Hynix Chip. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 5,6GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-Die ECC für verbessertes RAS.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz ungepuffertes SO-DIMM. 30u" Goldbeschichtungsstärke. Widerstand gegen Schwefelisierung. 1,2V Stromverbrauch. Samsung Originalchip. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Originaler Samsung-Chip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 1Gx16 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Samsung Originalchip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-Die ECC für verbesserten RAS.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Sehr niedriges Profil. Großer Temperaturbereich. 1,2V Stromverbrauch. Niedrigenergie-Auto-Selbstauffrischung (LPASR).
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Original Samsung Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankenanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Anzahl von Bänken und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8G DDR3-1600 240Pin 512MX8 1,35V Unbuffered Samsung Chip DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Samsung Chip.
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registered ECC DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Datenbusinversion (DBI) für Datenbus. Niedrigenergie-Auto-Selbstaktualisierung (LPASR).
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Micron DRAM-Chip. DDR4. Registered DIMM. Goldene Randkontakte. 64GB.
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DDR4-3200 Registered ECC DIMM. 1,2V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Datenbus-Inversion (DBI) für den Datenbus. Niedrigstrom-Auto-Selbstauffrischung (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registriertes ECC DIMM. 1,2V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Datenbus-Inversion (DBI) für den Datenbus. Niedrigleistungs-Auto-Selbstauffrischung (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V SAM -40~85℃ 30µ" Goldbeschichtungsdicke. Schwefelbeständigkeit. Original Samsung Chip. Weiter Temperaturbereich: -40°C bis +85°C. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Hynix-Chip.
8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V & 1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Samsung Chip.
8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30µ" Goldbeschichtungsstärke. Schwefelbeständigkeit. ECC.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
8G R-DDR3-1600 1,35V & 1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registered.240-Pin.512MX8.Samsung-Chip.
8GB ECC-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-Pin.512MX8.Samsung Chip.
1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200-Pin. 64MX8. Micron-Chip.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registered DIMM. Sehr niedriges Profil. Weiter Temperaturbereich. 30μ" Goldbeschichtung. 1,2V Stromverbrauch. Bietet verbesserte Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbessert die Datenintegrität.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Anti-Sulfidationsbeständigkeit. ECC.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.
16G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.
16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Hynix Original-Chip.
(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Anti-Schwefelungswiderstand. ECC.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.
16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 4Gbx4 REG Micron DRAM-Chip. DDR4-Spezifikation. Registriertes DIMM. Goldrandkontakte. 64GB.
DDR2 800 DIMM 2GB 128x8 Nanya Nanya DRAM-Chip. DDR2. Lange DIMM. Ungepuffert. 2GB.
2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 256MX8. Samsung Chip.
4GB ECC-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-Pin.512MX8.Samsung-Chip.
Advantech 4G DDR3-1600 240Pin 256MX8 1.35V Ungepuffert Samsung Chip DDR3-1600. 240-Pin. 256MX8. Samsung.
4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registriert. 240-Pin. 512MX8. Samsung Chip.
(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.
(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
