16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur de placage or 30u". Résistance à la sulfidation. Non tamponné.
32G DDR4-3200 2Gx8 1,2 V SAM -20~85 ℃ Puce d’origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité accrue. PCB : contacts dorés 30 μ. Anti-sulfuration. Prise en charge SEMI à large plage de température -20~85 ℃.
16GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Puce originale SAM. Conception industrielle pour une fiabilité améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Soutien semi large température -20~85℃.
SODIMM DDR4 16GB-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur de plaquage or 30u". Résistance à l'anti-sulfuration. Non tamponnée.
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Broches 512MX8 1.35V Non tamponné Puce Samsung SO-DIMM DDR3-1600.204 Broches.512MX8.Puce Samsung.
Puce Samsung 16G DDR5-4800 288 broches 2GX8 1.1V non tamponnée d'Advantech Puce originale Samsung. Banques et longueur de rafale augmentées. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur de placage en or 30u". Résistance à la sulfidation. Non tamponné.
DDR4-3200 16G 1Gx8 1,2 V SAM -20~85℃ Puce d’origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité accrue. PCB : connecteur à doigts dorés 30 μ. Protection anti-sulfuration. Prise en charge de la plage de température étendue (SEMI) : -20~85℃.
Advantech 32GB DDR5-5600 288Broches 2GX8 1.1V Non tamponné Puce Hynix Puce originale Hynix. Banks et longueur de rafale augmentés. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement du même bank. ECC intégré pour une fiabilité accrue (RAS).
Advantech 8G DDR3-1600 240Broches 512MX8 1.35V Non-Équilibrée Puce Samsung DDR3 1600Mhz DIMM non-équilibrée. Épaisseur de placage en or de 30μ". Consommation électrique de 1.35V. Puce originale Samsung.
32G SO-DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -20~85℃ Puce d'origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Prise en charge de températures semi-étendues -20~85℃.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Puces SAM Originales. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. ECC intégré pour un RAS amélioré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Augmentation des Bancs et de la Longueur de Rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement du même Banc. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204 broches 512MX8 1,35V Non tamponné Puce Samsung SO-DIMM DDR3 1600Mhz non tamponné. Épaisseur de placage en or de 30μ". Consommation électrique de 1,35V. Puce d'origine Samsung.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 2Gx8 1.1V Non tamponnée Puce Samsung Puce Samsung d'origine.Double sous-canaux 32 bits.Nombre de banques et longueur de rafale augmentés.DDR5 4,8 GT/s.Rafraîchissement du même banc.ECC intégré pour une RAS améliorée.
32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur de placage en or 30u". Résistance à la sulfidation. Non tamponnée.
32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage en or 30u". Résistance à la sulfuration. ECC.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Sous-canaux doubles 32 bits. Nombre de banques et longueur de rafale augmentés. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance améliorées (RAS).
(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Micron.
4G R-DDR4-2400 1.2V 512X8 SAM DDR4-2400 DIMM enregistré – hauteur standard. Épaisseur de placage or 30μ" (Norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2V. Auto-régénération basse consommation (LPASR). Offre une meilleure fiabilité, disponibilité et serviceabilité (RAS) et améliore l'intégrité des données.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce Originale Samsung.Double Sous-canaux 32 bits.Augmentation des Bancs et de la Longueur de Rafale.DDR5 4.8GT/s.Rafraîchissement du Même Banc.ECC intégré pour RAS Amélioré.
4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
Puce Samsung Advantech 8G DDR5-4800 288 broches 1GX16 1.1V Non tamponnée Puce originale Samsung. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une meilleure fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS).
32 Go DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Puce d'origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Support de température semi-large -20~85℃.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Broches 2GX8 1.1V Non Buffered Puce Hynix Puce Originale Hynix. Augmentation des Banques et de la Longueur de Rafale. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la Même Banque. ECC intégré pour une Fiabilité, Disponibilité et Maintenabilité (RAS) Améliorées.
8 Go DDR4-3200 1Gx8 1,2 V SAM -20~85℃ Puce d’origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité accrue. PCB : doigts dorés 30 μ. Anti-sulfuration. Prise en charge semi large plage de température -20~85℃.
16G SO-DDR4-3200 1GX8 1,2 V SAM -20~85 ℃ Puce SAM d’origine. Conception industrielle pour une fiabilité accrue. PCB : doigt(s) doré(s) 30 μ. Anti-sulfuration. Prise en charge semi étendue des températures -20~85 ℃.
16 Go R-DDR5 5600 R-DIMM 2Gx8 1,1 V SAM Puce d’origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité améliorée. Compatible avec les plateformes serveur. Contacts dorés 30 µ”. Température de fonctionnement : 0 °C à 85 °C.
16 Go ECC DDR5-5600 2Gx8 1,1 V SAM Puce d’origine SAM. Anti-sulfuration. PCB : contacts dorés (gold finger) 30 μ. Circuit intégré de gestion d’alimentation (PMIC) intégré, indépendant. Prise en charge de la fonction ECC.
32G R-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -40~85C DIMM enregistré (RDIMM). Épaisseur de placage or 30 µ". Résistance à l’anti-sulfuration. Consommation électrique de 1,2 V. Puce d’origine Samsung. Large plage de températures de -40 °C à 85 °C.
16G R-DDR4-3200 1GX8 1,2 V SAM -40~85°C DIMM enregistrée (RDIMM).Épaisseur de placage or 30 µ".Résistance à l’anti-sulfuration.Consommation électrique 1,2 V.Puce Samsung d’origine.Large plage de températures de -40 ° à 85 °C.
16 Go DDR5-5600 2Gx8 1,1 V SAM Puce d’origine SAM. PCB : doigt de contact plaqué or 30 μ. Anti-sulfuration. ECC intégré (On-die) pour une RAS améliorée. Température de fonctionnement : 0 °C à 85 °C.
8G SO-DDR4-3200 1GX8 1.2V SAM -20~85℃ Puce d'origine SAM.Conception industrielle pour une fiabilité améliorée.PCB : doigt d'or 30μ.Anti-sulfuration.Support semi-température large -20~85℃.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce Originale SAM. PCB : Doigt en or 30μ. Anti-sulfuration. ECC intégré pour une RAS améliorée. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
8GB DDR5-5600 1GX16 1.1V SAM -20~85℃ Puce Originale SAM. Conception Industrielle pour une Fiabilité Améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Support Température Semi-Étendue -20~85℃.
32GB ECC DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine SAM.Anti-sulfuration.PCB : doigt d'or 30μ.IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré.Support de la fonction ECC.
4G SO-DDR4-3200 512X16 1.2V SAM -20~85℃ Puce Originale SAM. Conception Industrielle pour une Fiabilité Améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Soutien Température Semi Large -20~85℃.
32GB R-DDR5 5600 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce Originale SAM.Conception Industrielle pour une Fiabilité Améliorée.Compatible avec la plateforme serveur.Doigt doré de 30u”.Température de Fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
4G DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G) DDR3-1600. 240 broches. 512MX8. Puce Samsung.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz SO-DIMM non tamponnée. Épaisseur de plaquage or 30u". Résistance à la sulfidation. Consommation électrique de 1,2V. Puce d'origine Samsung. Plage de températures étendue de -40° à 85°C.
Advantech 32G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Non-tamponnée Puce Samsung Puce d'origine Samsung. Nombre de banques et longueur de rafale augmentés. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement dans la même banque. ECC intégré pour une meilleure RAS.
32G SO-DDR4-3200 2GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz SO-DIMM non tamponné. Épaisseur de placage en or de 30u". Résistance à la soufre. Consommation électrique de 1,2V. Puce originale Samsung. Testé à 100% pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262 broches 2GX8 1.1V Non tamponnée Puce Hynix Puce originale Hynix.Bancs et longueur de rafale augmentés.DDR5 5.6GT/s.Rafraîchissement du même banc.ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Non tamponnée Hynix Chip Puces originales Hynix. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1.1V Non-tamponnée Puce Hynix Puce Hynix Originale.Augmentation des Banques et de la Longueur de Rafale.DDR5 5.6GT/s.Rafraîchissement de la Même Banque.ECC intégré pour un RAS Amélioré.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262 broches 1GX16 1.1V Non tamponnée puce Hynix Puce originale Hynix.Augmentation des banques et de la longueur de rafale.DDR5 5.6GT/s.Rafraîchissement dans la même banque.ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS) améliorées.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz SO-DIMM non tamponnée. Épaisseur de placage or de 30u". Résistance à la sulfidation. Consommation électrique de 1,2V. Puce originale Samsung. Testé à 100% pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Double sous-canaux 32 bits. Bancs et longueur de rafale accrus. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement du même banc. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 1Gx16 1.1V Non tamponné Puce Samsung Puce originale Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DIMM ECC enregistré DDR4-3200.Profil très bas.Large plage de température.Consommation d'énergie de 1,2V.Auto-refresh à faible consommation d'énergie (LPASR).
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 2GX8 1.1V Non tamponnée Puce Samsung Puce originale Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Nombre de banques et longueur de rafale augmentés. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement même banque. ECC intégré pour une fiabilité et stabilité accrues (RAS).
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS) améliorées.
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Double sous-canaux 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4,8GT/s. Rafraîchissement même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Puce Samsung Advantech 8G DDR3-1600 240 broches 512MX8 1,35V Non tamponnée DDR3-1600. 240 broches. 512MX8. Puce Samsung.
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DIMM ECC enregistré DDR4-3200. Consommation électrique de 1,2V. Prend en charge la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-refresh à faible consommation d'énergie (LPASR).
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Puce DRAM Micron. DDR4. DIMM enregistré. Contacts de bordure en or. 64GB.
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DIMM ECC enregistré DDR4-3200. Consommation électrique de 1,2V. Prend en charge la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto rafraîchissement automatique à faible consommation d'énergie (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DIMM ECC enregistré DDR4-3200. Consommation électrique de 1,2V. Prend en charge la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-refresh à faible consommation d'énergie (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Épaisseur de placage or de 30u". Résistance à la sulfidation. Puce d'origine Samsung. Température étendue de -40°C à +85°C. Testé à 100% pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Hynix.
8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204 broches. 512MX8. Puce Samsung.
8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8 Go. Vitesse 3200 MHz. Épaisseur de placage en or de 30u". Résistance anti-sulfurisation. ECC.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC enregistré.240 broches.512MX8.Puce Samsung.
8GB ECC-DDR3-1600 1,35V & 1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240 broches.512MX8.Puce Samsung.
1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron SO-DIMM DDR1-400. 200 broches. 64MX8. Puce Micron.
1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200 broches. 64MoX8. Puce Promos.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DIMM enregistré DDR4-2400. Très faible profil. Large plage de température. Épaisseur de placage d'or de 30μ". Consommation électrique de 1,2V. Offre une meilleure fiabilité, disponibilité et maintenabilité (RAS) et améliore l'intégrité des données.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DIMM enregistrée DDR4 2933Mhz. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DIMM enregistrée DDR4 2933Mhz. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16 Go. Vitesse 3200 MHz. Épaisseur de placage en or de 30u". Résistance à la sulfuration. ECC.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.
16G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.
32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.
16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Hynix.
(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16 Go. Vitesse 3200 MHz. Épaisseur de placage en or de 30u". Résistance à la sulfidation. ECC.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.
16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 4Gbx4 REG Puce DRAM de Micron. Spécifications DDR4. DIMM enregistrée. Contacts à bord en or. 64GB.
DDR2 800 DIMM 2GB 128x8 Nanya Puce DRAM Nanya. DDR2. DIMM long. Non tamponné. 2 Go.
2G ECC DDR3-1600 256X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 256MX8. Puce Samsung.
4GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240 broches. 512MX8. Puce Samsung.
Advantech 4G DDR3-1600 240 broches 256MX8 1,35V Non tamponnée Puce Samsung DDR3-1600. 240 broches. 256MX8. Samsung.
4G R-DDR3-1600 1.35V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC enregistré. 240 broches. 512MX8. Puce Samsung.
(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.
