Module de mémoire DRAM

Module de mémoire DRAM

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Advantech AQD-D3L4GN16-SG1

4G DDR3-1600 512X8 1,35V & 1,5V SAM DDR3 1600Mhz DIMM sans tampon. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

22 €
Advantech AQD-SD3L4GN16-SG1

4G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V 1,5V SAM DDR3 1600Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

22 €
Advantech AQD-SD4U8GN32-SE

8 Go DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM DDR4 3200Mhz sans tampon SO-DIMM. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

29 €
Advantech AQD-D4U8GN32-SE

8GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 8GB. DDR 4 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

28 €
Advantech AQD-D3L8GN16-SG1

8G DDR3-1600 512X8 1,35V 1,5V SAM DDR3 1600Mhz DIMM sans tampon. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

41 €
Advantech AQD-SD3L2GN16-SR

2G SO-DDR3-1600 256X16 1.35V&1.5V SAM Puce DRAM Samsung. DDR3 Spec. DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". 2GB.

15 €
Advantech AQD-SD4U16GN32-SE

16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

52 €
Advantech AQD-SD4U4GN26-SG

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

30 €
Advantech AQD-SD3L8GN16-SG1

8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V 1,5V SAM DDR3 1600Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

41 €
Advantech AQD-D4U16GN32-SE

16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

53 €
Advantech AQD-D4U4GN32-SP

4GB DDR4 3200 512MX16 SAM 4GB. DDR 4 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

18 €
Advantech AQD-SD4U32GN32-SB

32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

104 €
Advantech AQD-D4U8GN26-SE

8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

35 €
Advantech AQD-D5V16GN56-HB

Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

78 €
Advantech AQD-D5V8GN48-SC

8GB DDR5-4800 1GX16 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

39 €
Advantech AQD-D5V8GN56-HC

Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

44 €
Advantech AQD-D4U4GN24-SP

4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Puce DRAM Samsung. Spécifications DDR4. DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". 4GB.

34 €
Advantech AQD-SD5V8GN56-HC

Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

44 €
Advantech AQD-SD4U16N32-SEW

16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz sans tampon SO-DIMM. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

72 €
Advantech AQD-SD3L2GN16-SQ1

2G SO-DDR3-1600 256X8 1,35V 1,5V SAM DDR3 1600Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

22 €
Advantech 96D4-64G3200ER-M2

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Puce DRAM de Micron. DDR4. DIMM enregistrée. Contacts à bord en or. 64GB.

260 €
Advantech AQD-D4U32GN26-HB

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.

151 €
Advantech AQD-D4U32GN32-SB

32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

104 €
Advantech AQD-D4U8GE32-SE

8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. ECC.

37 €
Advantech AQD-D3L8GR16-SG

8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Enregistré. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

102 €
Advantech 96D4-4G3200NN-MI

(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.

34 €
Advantech AQD-SD4U8GN24-HE

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

43 €
Advantech AQD-SD4U4GN32-SPW1

4G SO-DDR4-3200 512GbX16 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz sans tampon SO-DIMM. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung. large gamme de températures de -40° à 85°C.

24 €
  • Sur demande
Advantech AQD-SD5V32GN56-HB

Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

143 €
  • Sur demande
Advantech AQD-SD5V16GN56-HB

Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

78 €
  • Sur demande
Advantech AQD-SD5V32GN48-SB

32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

138 €
  • Sur demande
Advantech AQD-SD4U32GE32-SB

32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. ECC.

126 €
  • Sur demande
Advantech AQD-D5V16GR48-SB

16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

115 €
  • Sur demande

8GB SO-DDR5-4800 1GX16 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

39 €
  • Sur demande
Advantech 96D4I-8G3200R-AT1

8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Profil très bas. Température élevée. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).

88 €
  • Sur demande
Advantech AQD-SD5V16GN48-SB

16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

71 €
  • Sur demande
Advantech AQD-SD5V32GE48-SB

32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

180 €
  • Sur demande
Advantech AQD-SD5V16GE48-SB

16 Go ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

98 €
  • Sur demande
Advantech AQD-D5V32GR48-SB

32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

206 €
  • Sur demande
Advantech AQD-D5V32GE48-SB

32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

180 €
  • Sur demande
Advantech AQD-D5V16GE48-SB

16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

98 €
  • Sur demande
Advantech AQD-SD4U4GN32-SP

4GB DDR4 SODIMM-3200 512Mbx16 SAM DDR4 3200Mhz sans tampon SO-DIMM. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

19 €
  • Sur demande