16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip
Originálny čip Hynix.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 5,6GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip
Originálny čip Hynix.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 5,6GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
8GB SO-DDR5-4800 1GX16 1.1V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX
Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.
4G SO-DDR4-3200 512GbX16 1,2V SAM -40~85C
DDR4 3200Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM.
Hrúbka pozlátenia 30u".
Odolnosť proti odsíreniu.
Spotreba energie 1,2 V.
Originálny čip Samsung.
široký rozsah teplôt od -40° do 85°C.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip
Originálny čip Hynix.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 5,6GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip
Originálny čip Hynix.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 5,6GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip
Originálny čip Hynix.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 5,6GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
16 GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1,1 V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
32 GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1,1 V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
4GB DDR4 SODIMM-3200 512Mbx16 SAM
DDR4 3200Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM.
Hrúbka pozlátenia 30u".
Odolnosť proti odsíreniu.
Spotreba energie 1,2 V.
Originálny čip Samsung.
100% testovanie stability, kompatibility a výkonu.
8GB DDR5-4800 1GX16 1.1V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM
Originálny čip Samsung.
Dva 32-bitové subkanály.
Zvýšená dĺžka bánk a sérií.
DDR5 4.8GT/s.
Obnovenie v tej istej banke.
ECC v diere pre vylepšené RAS.