16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB.Geschwindigkeit 3200MHz.30u" Goldbeschichtungsdicke.Anti-Schwefelbeständigkeit.Ungepuffert.
32G SO-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip.Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit.PCB: 30μ Goldkontakt.Anti-Sulfuration.Teilweise Unterstützung für einen weiten Temperaturbereich von -20~85℃.
32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. Goldbeschichtung Dicke 30u". Anti-Schwefelbildung Widerstand. Ungepuffert.
32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Schwefelbeständigkeit. ECC.
16G SO-DDR4-3200 1GX8 1,2V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip. Industrielles Design für erhöhte Zuverlässigkeit. PCB: 30 μ Gold-Finger. Anti-Sulfidierung. Unterstützung für Semi-Wide-Temperaturbereich -20~85℃.
8G SO-DDR4-3200 1GX8 1.2V SAM -20~85℃ SAM Originalchip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. Semi-Weit-Temperaturbereich Unterstützung -20~85℃.
4G SO-DDR4-3200 512X16 1.2V SAM -20~85℃ SAM Originalchip.Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit.PCB: 30μ Goldfinger.Anti-Sulfuration.Semi-Breittemperaturbereich -20~85℃.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Ungepuffertes SO-DIMM. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Anti-Schwefelungsbeständigkeit. 1,2V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip. Breiter Temperaturbereich von -40° bis 85°C.
32G SO-DDR4-3200 2GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Unbuffered SO-DIMM.30µ" Goldbeschichtungsdicke.Schwefelbeständige Ausführung.1,2V Energieverbrauch.Samsung Original-Chip.100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz ungepuffertes SO-DIMM. 30u" Goldbeschichtungsstärke. Widerstand gegen Schwefelisierung. 1,2V Stromverbrauch. Samsung Originalchip. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Hynix Original-Chip.
(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Anti-Schwefelungswiderstand. ECC.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.
16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.
(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.
4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.
4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM-Chip. DDR4-Spezifikation. Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 4GB.
4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.
8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30µ" Goldbeschichtung Dicke. Schwefelbeständigkeit. ECC.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.