SO-DIMM DDR4-Speicher

16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

8GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM DDR4 3200Mhz Ungepuffertes SO-DIMM. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. Ungepuffert.

16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Ungepuffertes SO-DIMM. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

4G SO-DDR4-3200 512GbX16 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Ungepuffertes SO-DIMM. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip. weite Temperaturbereiche von -40° bis 85°C.

32G ECC-SODDR4 3200 1,2V 2GbX8 SAM 32GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. ECC.

4GB DDR4 SODIMM-3200 512Mbx16 SAM DDR4 3200Mhz Ungepuffertes SO-DIMM. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Hynix Original-Chip.

(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC-SODDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. ECC.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM-Chip. DDR4-Spezifikation. Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 4GB.

8G ECC-SODDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 8GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Vergoldungsdicke. Antischwefelungsbeständigkeit. ECC.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.