16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť voči síraniu. Neodtlmovaný.
32G SO-DDR4-3200 2GX8 1.2V SAM -20~85℃ Pôvodný čip SAM. Priemyselný dizajn pre zlepšenú spoľahlivosť. PCB: 30μ zlatý kontakt. Ochrana proti sulfidácii. Podpora polovične širokého teplotného rozsahu -20~85℃.
32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka zlatého pokovovania 30u". Odolnosť voči síraniu. Bez vyrovnávacej pamäte.
32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť voči síraniu. ECC.
16G SO-DDR4-3200 1GX8 1,2 V SAM -20~85 ℃ Originálny čip SAM. Priemyselný dizajn pre vyššiu spoľahlivosť. PCB: 30 μ zlaté kontakty (gold finger). Odolnosť proti sulfidácii. Podpora semi wide-temp rozsahu -20~85 ℃.
8G SO-DDR4-3200 1GX8 1.2V SAM -20~85℃ Pôvodný čip SAM. Priemyselný dizajn pre zlepšenú spoľahlivosť. PCB: 30μ zlatý kontakt. Ochrana proti síreniu. Podpora semi širokého teplotného rozsahu -20~85℃.
4G SO-DDR4-3200 512X16 1.2V SAM -20~85℃ Pôvodný čip SAM. Priemyselný dizajn pre zvýšenú spoľahlivosť. PCB: 30μ zlatý kontakt. Ochrana proti sulfidácii. Podpora polovičného širokého teplotného rozsahu -20~85℃.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Nebufrovaný SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti sulfidácii. Spotreba energie 1.2V. Pôvodný čip Samsung. Široký rozsah teplôt od -40° do 85°C.
32G SO-DDR4-3200 2GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Nevyrovnaný SO-DIMM. 30u" Hrúbka pozlátenia. Odolnosť proti sulfurizácii. Spotreba energie 1.2V. Pôvodný čip Samsung. 100% testované na stabilitu, kompatibilitu a výkon.
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz Nevyrovnaný SO-DIMM. Hrúbka zlata 30u". Odolnosť voči síraniu. Spotreba energie 1.2V. Pôvodný čip Samsung. 100% testovaný pre stabilitu, kompatibilitu a výkon.
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Hynix.
(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti síraniu. ECC.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Čip Samsung DRAM. Špecifikácia DDR4. Nevyrovnaný modul DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". 4 GB.
4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka zlatenia 30u". Odolnosť voči síraniu. ECC.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2 V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.