Mémoire SO-DIMM DDR4

SODIMM DDR4 16GB-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur de plaquage or 30u". Résistance à l'anti-sulfuration. Non tamponnée.

32G SO-DDR4-3200 2GX8 1,2V SAM -20~85℃ Puce d'origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Prise en charge de températures semi-étendues -20~85℃.

32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur de placage en or 30u". Résistance à la sulfidation. Non tamponnée.

32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage en or 30u". Résistance à la sulfuration. ECC.

16G SO-DDR4-3200 1GX8 1,2 V SAM -20~85 ℃ Puce SAM d’origine. Conception industrielle pour une fiabilité accrue. PCB : doigt(s) doré(s) 30 μ. Anti-sulfuration. Prise en charge semi étendue des températures -20~85 ℃.

8G SO-DDR4-3200 1GX8 1.2V SAM -20~85℃ Puce d'origine SAM.Conception industrielle pour une fiabilité améliorée.PCB : doigt d'or 30μ.Anti-sulfuration.Support semi-température large -20~85℃.

4G SO-DDR4-3200 512X16 1.2V SAM -20~85℃ Puce Originale SAM. Conception Industrielle pour une Fiabilité Améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Soutien Température Semi Large -20~85℃.

16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz SO-DIMM non tamponnée. Épaisseur de plaquage or 30u". Résistance à la sulfidation. Consommation électrique de 1,2V. Puce d'origine Samsung. Plage de températures étendue de -40° à 85°C.

32G SO-DDR4-3200 2GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz SO-DIMM non tamponné. Épaisseur de placage en or de 30u". Résistance à la soufre. Consommation électrique de 1,2V. Puce originale Samsung. Testé à 100% pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz SO-DIMM non tamponnée. Épaisseur de placage or de 30u". Résistance à la sulfidation. Consommation électrique de 1,2V. Puce originale Samsung. Testé à 100% pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Hynix.

(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16 Go. Vitesse 3200 MHz. Épaisseur de placage en or de 30u". Résistance à la sulfidation. ECC.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données,...

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Puce DRAM Samsung. Spécifications DDR4. DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". 4GB.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8Go.Vitesse 3200MHz.Épaisseur de placage en or de 30u".Résistance à l'anti-sulfuration.ECC.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.