Mémoire SO-DIMM DDR4
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
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16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Hynix.
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(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
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16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
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(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données,...
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(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
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4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.
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