Mémoire SO-DIMM DDR3

Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Broches 512MX8 1.35V Non tamponné Puce Samsung SO-DIMM DDR3-1600.204 Broches.512MX8.Puce Samsung.

Advantech 8G SO-DDR3-1600 204 broches 512MX8 1,35V Non tamponné Puce Samsung SO-DIMM DDR3 1600Mhz non tamponné. Épaisseur de placage en or de 30μ". Consommation électrique de 1,35V. Puce d'origine Samsung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204 broches. 512MX8. Puce Samsung.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1.5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-Pin. 128MX8. Puce Samsung.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204 broches.512MX8.Puce Samsung.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Micron.

Advantech 4G SO-DDR3-1600 204 broches 256X8 1.35V Non tamponné Puce Samsung DDR3-1600 SO-DIMM.204 broches.256MX8.Puce Samsung.