Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Nepamäťový Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Samsung čip.
Advantech 8G SO-DDR3-1600 204Pin 512MX8 1.35V Nevyrovnaný Samsung Čip DDR3 1600Mhz Nevyrovnaný SO-DIMM.Hrúbka zlatenia 30μ".Spotreba energie 1.35V.Pôvodný čip Samsung.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Samsung čip.
1G SO-DDR3-1333 128X8 1.5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-pinový. 128MX8. Čip Samsung.
1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,35 V. Originálny čip Samsung.
4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204-pinový.512MX8.Samsung čip.
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Micron.
Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1.35V Nepamäťový Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 256MX8. Samsung čip.