Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V ungepuffert Hynix Chip Hynix Original-Chip. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 5.6GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
