16GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ SAM Original Chip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. Semi-Wide-Temp-Unterstützung -20~85℃.
Advantech 16G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung-Chip Samsung Original-Chip. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Gleiche-Bank-Aktualisierung. On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 32GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Originaler Hynix-Chip. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 5,6GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-die ECC für verbesserten RAS.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Samsung Originalchip. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-Die-ECC für verbessertes RAS.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM SAM Original-Chip. PCB: 30μ Goldkontakt. Anti-Sulfuration. On-Die ECC für verbessertes RAS. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM SAM Original-Chip. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. On-Die ECC für verbessertes RAS. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originaler Samsung-Chip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8G DDR5-4800 288Pin 1GX16 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Samsung Original-Chip. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Gleichzeitige Bank-Aktualisierung. On-die ECC für verbesserte RAS.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Originaler Hynix Chip. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 5.6GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
16 GB R-DDR5 5600 R-DIMM 2Gx8 1,1 V SAM SAM Original-Chip. Industriedesign für erhöhte Zuverlässigkeit. Kompatibel mit Server-Plattformen. 30 µ" Goldkontakte („Golden Finger“). Betriebstemperatur: 0 °C bis 85 °C.
16GB DDR5-5600 2GX8 1,1V SAM SAM Original-Chip. PCB: 30 μ Goldfinger. Antisulfatierung. On-Die-ECC für verbesserte RAS. Betriebstemperatur: 0°C bis 85°C.
8GB DDR5-5600 1GX16 1.1V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. Semi-Breittemperaturunterstützung -20~85℃.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ SAM Original-Chip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. PCB: 30μ Goldfinger. Anti-Sulfuration. Semi-Weit-Temperaturunterstützung -20~85℃.
32GB R-DDR5 5600 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM SAM Original-Chip. Industriedesign für verbesserte Zuverlässigkeit. Kompatibel mit Server-Plattformen. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
Advantech 32G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Original Samsung Chip. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip Original Hynix Chip. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 5,6GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Originaler Samsung-Chip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Anzahl von Bänken und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.