16GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Pôvodný čip SAM. Priemyselný dizajn pre zlepšenú spoľahlivosť. PCB: 30μ zlatý kontakt. Proti sulfatácii. Podpora pološirokého teplotného rozsahu -20~85℃.
Advantech 16G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Originálny čip Samsung. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v rámci tej istej banky. On-die ECC pre vylepšenú RAS.
Advantech 32GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Nepuffrovaná Hynix Čip Pôvodný Hynix čip. Zvýšený počet bánk a dĺžka výbuchu. DDR5 5.6GT/s. Obnovovanie v rámci tej istej banky. On-die ECC pre vylepšenú RAS.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Originálny čip SAM.PCB: 30μ zlatý konektor.Proti síraniu.On-die ECC pre vylepšenú RAS.Prevádzková teplota: 0°C ~ 85°C.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip Samsung. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v rámci tej istej banky. On-die ECC pre vylepšenú spoľahlivosť, dostupnosť a servisovateľnosť (RAS).
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung originálny čip. Dvojité 32-bitové podkanály. Navýšené banky a dĺžka výbuchu. DDR5 4.8GT/s. Obnova rovnakého banku. On-die ECC pre vylepšený RAS.
Advantech 8G DDR5-4800 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Samsung Čip Pôvodný Samsung čip. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova v rámci tej istej banky. Vstavané ECC pre zvýšenú RAS.
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Pôvodný čip SAM. Priemyselný dizajn pre zvýšenú spoľahlivosť. PCB: 30μ zlatý kontakt. Ochrana proti sulfidácii. Podpora polovičného širokého teplotného rozsahu -20~85℃.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Nebufferovaná Hynix Čip Pôvodný čip Hynix. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnovovanie v rámci rovnakého banku. On-die ECC pre vylepšenú RAS.
16 GB R-DDR5 5600 R-DIMM 2Gx8 1,1 V SAM Originálny čip SAM. Priemyselný dizajn pre vyššiu spoľahlivosť. Kompatibilné so serverovými platformami. 30 µ” pozlátené kontakty (golden finger). Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
16 GB DDR5-5600 2Gx8 1,1 V SAM Originálny čip SAM. PCB: 30 μ pozlátené kontakty (gold finger). Ochrana proti sulfidácii. On-die ECC pre vylepšené RAS (spoľahlivosť, dostupnosť a servisovateľnosť). Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip SAM. PCB: 30μ zlatý konektor. Proti sulfatácii. On-die ECC pre vylepšenú RAS. Prevádzková teplota: 0°C ~ 85°C.
8GB DDR5-5600 1GX16 1.1V SAM -20~85℃ Originálny čip SAM. Priemyselný dizajn pre zvýšenú spoľahlivosť. PCB: 30μ zlatý kontakt. Odolnosť voči sulfácii. Podpora semi širokého teplotného rozsahu -20~85℃.
32GB R-DDR5 5600 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip SAM.Priemyselný dizajn pre zvýšenú spoľahlivosť.Kompatibilné so serverovou platformou.30u” zlatý kontakt.Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
Advantech 32G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Nebufferovaný Samsung Čip Pôvodný čip Samsung. Zvýšený počet bánk a dĺžka série. DDR5 4.8GT/s. Obnova rovnakej banky. Na-čipové ECC pre zvýšenú spoľahlivosť, dostupnosť a servisovateľnosť (RAS).
Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix čip Originálny čip Hynix. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 5,6 GT/s. Refresh v rovnakej banke. On-die ECC pre vylepšenú RAS.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip Samsung. Dvojité 32-bitové subkanály. Viac bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Osviežovanie v rámci rovnakého banku. On-die ECC pre zvýšenú spoľahlivosť a dostupnosť systému (RAS).
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip Samsung.Dva 32-bitové podkanály.Viac bankov a dĺžka burstu.DDR5 4,8 GT/s.Obnovenie v rámci toho istého banku.Vstavané ECC pre zvýšenú spoľahlivosť, dostupnosť a servisovateľnosť (RAS).