16GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Puce originale SAM. Conception industrielle pour une fiabilité améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Soutien semi large température -20~85℃.
Puce Samsung 16G DDR5-4800 288 broches 2GX8 1.1V non tamponnée d'Advantech Puce originale Samsung. Banques et longueur de rafale augmentées. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 32GB DDR5-5600 288Broches 2GX8 1.1V Non tamponné Puce Hynix Puce originale Hynix. Banks et longueur de rafale augmentés. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement du même bank. ECC intégré pour une fiabilité accrue (RAS).
32GB DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Puces SAM Originales. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. ECC intégré pour un RAS amélioré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Augmentation des Bancs et de la Longueur de Rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement du même Banc. ECC intégré pour une RAS améliorée.
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce Originale Samsung.Double Sous-canaux 32 bits.Augmentation des Bancs et de la Longueur de Rafale.DDR5 4.8GT/s.Rafraîchissement du Même Banc.ECC intégré pour RAS Amélioré.
Puce Samsung Advantech 8G DDR5-4800 288 broches 1GX16 1.1V Non tamponnée Puce originale Samsung. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une meilleure fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS).
32 Go DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM -20~85℃ Puce d'origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Support de température semi-large -20~85℃.
Advantech 16GB DDR5-5600 288Broches 2GX8 1.1V Non Buffered Puce Hynix Puce Originale Hynix. Augmentation des Banques et de la Longueur de Rafale. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la Même Banque. ECC intégré pour une Fiabilité, Disponibilité et Maintenabilité (RAS) Améliorées.
16 Go R-DDR5 5600 R-DIMM 2Gx8 1,1 V SAM Puce d’origine SAM. Conception industrielle pour une fiabilité améliorée. Compatible avec les plateformes serveur. Contacts dorés 30 µ”. Température de fonctionnement : 0 °C à 85 °C.
16 Go DDR5-5600 2Gx8 1,1 V SAM Puce d’origine SAM. PCB : doigt de contact plaqué or 30 μ. Anti-sulfuration. ECC intégré (On-die) pour une RAS améliorée. Température de fonctionnement : 0 °C à 85 °C.
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce Originale SAM. PCB : Doigt en or 30μ. Anti-sulfuration. ECC intégré pour une RAS améliorée. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
8GB DDR5-5600 1GX16 1.1V SAM -20~85℃ Puce Originale SAM. Conception Industrielle pour une Fiabilité Améliorée. PCB : doigt d'or 30μ. Anti-sulfuration. Support Température Semi-Étendue -20~85℃.
32GB R-DDR5 5600 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce Originale SAM.Conception Industrielle pour une Fiabilité Améliorée.Compatible avec la plateforme serveur.Doigt doré de 30u”.Température de Fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
Advantech 32G DDR5-4800 288Pin 2GX8 1.1V Non-tamponnée Puce Samsung Puce d'origine Samsung. Nombre de banques et longueur de rafale augmentés. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement dans la même banque. ECC intégré pour une meilleure RAS.
Advantech 8GB DDR5-5600 288Pin 1GX16 1.1V Non-tamponnée Puce Hynix Puce Hynix Originale.Augmentation des Banques et de la Longueur de Rafale.DDR5 5.6GT/s.Rafraîchissement de la Même Banque.ECC intégré pour un RAS Amélioré.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Double sous-canaux 32 bits. Bancs et longueur de rafale accrus. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement du même banc. ECC intégré pour une RAS améliorée.
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Double sous-canaux 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4,8GT/s. Rafraîchissement même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.