SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Leistungsmanagement-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung IC verwendet. Integrierte unabhängige Strommanagement-IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung IC verwendet. Integrierte unabhängige Stromverwaltungs-IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 6400 64GB 4Gx4 (0–95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128 GB. 100%-Screening-Test. Kompatibel mit Server-Plattformen. Original-IC-Chips verwendet. 30 µ” Goldfinger-Kontakte. Betriebstemperatur: 0 °C bis 95 °C.
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiger Power-Management-IC integriert. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiger Power-Management-IC integriert. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Leistungsmanagement-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s.Kapazität: 8GB/16GB/32GB.Original Samsung/Hynix IC verwendet.Unabhängiger Power Management IC integriert.Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 5600/4800 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original: Samsung/Micron IC verwendet. Integrierter unabhängiger Power Management IC. Unterstützung der ECC-Funktion. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48/64GB. Original Samsung/Hynix/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Leistungsmanagement-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Unabhängige Power Management IC integriert. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 6400 48GB 3Gx8 (-25 bis 95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64GB. Originale Hynix-ICs werden verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierter, unabhängiger Power-Management-IC (PMIC). CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25°C bis 95°C.
SODIMM DDR5 6400 64GB 4Gx8 (-25–95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64 GB. Originale Hynix-ICs verwendet. Unterstützt On-Die-ECC-Funktion. Integrierter IC für unabhängiges Power-Management. CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25 °C bis 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 16GB 2Gx8 (-25–95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64 GB. Originale Hynix-ICs verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierter Power-Management-IC (PMIC). CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25 °C bis 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 32GB 2Gx8 (-25–95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64GB. Originale Hynix-ICs werden verwendet. Unterstützt On-Die-ECC-Funktion. Integrierter, unabhängiger Power-Management-IC. CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25°C bis 95°C.
SODIMM DDR5 6400 8GB 1Gx16 (-25–95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64 GB. Originale Hynix-ICs verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierter, unabhängiger Power-Management-IC. CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25 °C bis 95 °C.
ECC UDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 5600 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original: Samsung-/Micron-ICs verwendet. Integrierter, unabhängiger Power-Management-IC. Unterstützung der ECC-Funktion. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
RDIMM D5 4800 96GB (0-85) SAM 6Gbx4 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattformen. Originaler IC-Chip übernommen. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Datenübertragungsrate: 5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48 GB. Original Samsung/Hynix/Micron IC übernommen. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Hynix Datenübertragungsrate: 5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48 GB. Original Samsung/Hynix/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Leistungsmanagement-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 5600 48GB 3Gb*8 (0-95) Micron Datenübertragungsrate: 5600 MT/s.Kapazität: 16GB/32GB.Original: Samsung/Micron IC verwendet.Unabhängiger Power Management IC integriert.Unterstützung der ECC-Funktion.Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
RDIMM DDR5 5600 128GB 8Gx4 Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattformen. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” Goldkontakte. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Datenübertragungsrate: 5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48 GB. Original Samsung/Hynix/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung/Hynix IC verwendet. Integrierter unabhängiger Power-Management-IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung/Hynix IC verwendet. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung/Hynix IC verwendet. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip übernommen. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Server-Plattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Anschluss. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattformen. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierter unabhängiger Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 48GB 3Gx8 Micron Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 64GB 4Gx4 Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Server-Plattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” Goldkontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Samsung IC verwendet. Unterstützung der ECC-Funktion. Integrierter unabhängiger Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützt On-Die ECC-Funktion. Unabhängiger Power Management IC integriert. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Samsung/Micron IC übernommen. Unterstützung der ECC-Funktion. Unabhängiger Power Management IC integriert. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung IC verwendet. Unabhängiger Power-Management-IC integriert. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung IC übernommen. Unabhängiger Power-Management-IC integriert. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip übernommen. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Anschluss. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Micron Datenübertragungsrate: 4800 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Micron/Samsung IC angenommen. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiges Power Management IC eingebaut. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Micron Datenübertragungsrate: 4800 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Micron/Samsung IC angenommen. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiges Power Management IC eingebaut. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Datenübertragungsrate: 4800 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Micron/Samsung IC angenommen. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiges Power Management IC eingebaut. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierter unabhängiger Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Datenübertragungsrate: 4800 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Micron/Samsung IC angenommen. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiges Power Management IC eingebaut. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Datenübertragungsrate: 4800 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Micron/Samsung IC angenommen. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiges Power Management IC eingebaut. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiger Power Management IC integriert. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Datenübertragungsrate: 4800 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Micron/Samsung IC angenommen. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiges Power Management IC eingebaut. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s.Kapazität: 8GB/16GB/32GB.Originaler Samsung IC verwendet.Unabhängiger Power Management IC eingebaut.Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
