SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 Go. IC d'origine Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0 °C ~ 95 °C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. Circuit intégré Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. Puces Samsung/Micron d'origine adoptées. Prend en charge la fonction ECC intégrée. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. CI Samsung d'origine adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. Circuit intégré Samsung original adopté. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 6400 64 Go 4Gx4 (0-95) Hynix Taux de transfert des données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128 Go. Test de sélection (screening) à 100 %. Compatible avec les plateformes serveur. Puce IC d’origine utilisée. Contacts dorés (golden finger) 30 µ”. Température de fonctionnement : 0°C à 95°C.
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 Go. IC original Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestion de l'alimentation indépendante avec IC intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Vitesse de transfert des données : 4800/5600 MT/s.Capacité : 8/16/24/32/48GB.IC original Samsung/Micron adopté.Prise en charge de la fonction ECC intégrée à la puce.Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré.Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. IC Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Débit de transfert de données : 4800/5600 MT/s.Capacité : 8/16/24/32/48GB.IC Samsung/Micron d'origine adoptée.Support de la fonction ECC intégrée.Gestion indépendante de l'alimentation IC intégrée.Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. Circuit intégré Samsung/Hynix d'origine adopté. IC de gestion d'alimentation indépendante intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. IC Samsung/Micron d'origine adoptée. Prise en charge de la fonction ECC. Gestion de l'alimentation indépendante IC intégrée. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 5600/4800 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Original : IC Samsung/Micron adopté. IC de gestion d'alimentation indépendant intégré. Support de la fonction ECC. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestionnaire de puissance IC indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Débit de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48/64GB. IC d'origine Samsung/Hynix/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC embarquée. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC d'origine Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestion de l'alimentation indépendante avec IC intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 6400 48 Go 3Gx8 (-25 à 95) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. Utilise des circuits intégrés (IC) Hynix d’origine. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. Circuit intégré de gestion d’alimentation (PMIC) intégré. CKD et diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25 °C à 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 64 Go 4Gx8 (-25 à 95 °C) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. Utilise des circuits intégrés (IC) Hynix d’origine. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. CI de gestion d’alimentation (PMIC) intégré. CKD & diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25 °C à 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 16 Go 2Gx8 (-25 à 95 °C) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. CI (IC) Hynix d’origine intégré. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. Circuit intégré (IC) de gestion d’alimentation indépendant intégré. CKD et diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25 °C à 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 32 Go 2Gx8 (-25 à 95) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. Circuits intégrés (IC) Hynix d’origine. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. Circuit intégré de gestion d’alimentation (PMIC) intégré et indépendant. CKD et diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25°C à 95°C.
SODIMM DDR5 6400 8 Go 1Gx16 (-25 à 95 °C) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. Utilise des circuits intégrés (IC) Hynix d’origine. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. Circuit intégré de gestion d’alimentation (PMIC) indépendant intégré. CKD et diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25 °C...
UDIMM ECC DDR5 5600 16 Go 2Gx8 Samsung Taux de transfert des données : 5600 MT/s. Capacité : 16 Go / 32 Go. Origine : circuits intégrés (IC) Samsung/Micron d’origine. Circuit intégré (IC) de gestion d’alimentation indépendant intégré. Prise en charge de la fonction ECC. Température de fonctionnement : 0°C à 85°C.
RDIMM D5 4800 96GB (0-85) SAM 6Gbx4 Samsung Débit de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128 Go. Test de dépistage à 100 %. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré de 30u”. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Débit de transfert de données : 5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 GB. Circuit intégré Samsung/Hynix/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Hynix Taux de transfert de données : 5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 Go. Circuit intégré Samsung/Hynix/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégré. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 5600 48GB 3Gb*8 (0-95) Micron Vitesse de transfert de données : 5600 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Original : IC Samsung/Micron adopté. IC de gestion d'alimentation indépendant intégré. Prise en charge de la fonction ECC. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
RDIMM DDR5 5600 128GB 8Gx4 Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de sélection à 100 %. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigté doré de 30u”. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Taux de Transfert de Données : 5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 Go. CI d'origine Samsung/Hynix/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestion de l'alimentation indépendante IC intégrée. Température de Fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. IC d'origine Samsung/Hynix adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. IC Samsung/Hynix d'origine adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. IC Samsung/Hynix d'origine adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de criblage à 100 %. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigté doré de 30u". Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de criblage à 100 %. Compatible avec les plateformes serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré de 30u”. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de dépistage à 100%. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt d'or de 30u”. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de sélection à 100 %. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt d'or de 30u". Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestion de l'alimentation indépendante IC intégrée. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 48GB 3Gx8 Micron Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégré. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 64GB 4Gx4 Hynix Débit de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de sélection à 100 %. Compatible avec les plateformes serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré 30u". Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. Circuit intégré original Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC sur puce. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Vitesse de transfert de données : 4800 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Circuit intégré Samsung d'origine adopté. Support de la fonction ECC. Gestionnaire de puissance indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC Samsung/Micron d'origine adopté. Support de la fonction ECC intégrée. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC Samsung/Micron original adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 16 Go/32 Go. Circuit intégré original Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. Circuit intégré Samsung d'origine adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. IC Samsung d'origine adopté. IC de gestion d'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s.Capacité : 16/32/64/128 Go.Test de dépistage à 100 %.Compatible avec la plateforme serveur.Puce IC originale adoptée.Doigt doré 30u”.Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 4800 16 Go 2Gx8 (0-85) Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 16/32/64/128 Go. Test de sélection à 100 %. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré 30u”. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s.Capacité : 16/32/64/128GB.Test de vérification à 100%.Compatible avec les plateformes serveurs.Puce IC originale adoptée.Doigt doré de 30u”.Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Micron Taux de transfert de données : 4800 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Adoption d'un CI original Micron/Samsung. Support de la fonction ECC sur puce. Intégration d'un circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendante. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Micron Taux de transfert de données : 4800 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. Adoption d'un CI original Micron/Samsung. Support de la fonction ECC sur puce. Intégration d'un circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendante. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Taux de transfert de données : 4800 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Adoption d'un CI original Micron/Samsung. Support de la fonction ECC sur puce. Intégration d'un circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendante. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC d'origine Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Taux de transfert de données : 4800 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Adoption d'un CI original Micron/Samsung. Support de la fonction ECC sur puce. Intégration d'un circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendante. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Taux de transfert de données : 4800 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Adoption d'un CI original Micron/Samsung. Support de la fonction ECC sur puce. Intégration d'un circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendante. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC d'origine Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Circuit intégré de gestion d'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Taux de transfert de données : 4800 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Adoption d'un CI original Micron/Samsung. Support de la fonction ECC sur puce. Intégration d'un circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendante. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Débit de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. IC Samsung d'origine adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
