SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použité originálne IC Samsung/Micron.Podpora funkcie On-Die ECC.Integrovaný nezávislý IC pre riadenie napájania.Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originálny Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý IC pre správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použité originálne čipy Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Vstavaný nezávislý IC pre správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originálny Samsung IC. Integrovaný nezávislý IC pre správu napájania. Prevádzková teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Prenosová rýchlosť: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originálny Samsung IC. Zabudovaný nezávislý integrovaný obvod pre riadenie napájania. Prevádzková teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originálny Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Zabudovaný nezávislý IC pre správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originálny Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý IC na správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Využitá originálna IC od Samsung/Micron. Podpora funkcie On-Die ECC. Zabudovaný nezávislý IC pre riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použité originálne IC od Samsung/Hynix. Vstavaný nezávislý integrovaný obvod pre správu napájania. Prevádzková teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600/6400 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48/64GB. Použité originálne čipy Samsung/Hynix/Micron. Podpora funkcie On-Die ECC. Vstavaný nezávislý integrovaný obvod na správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Prenosová rýchlosť dát: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použité pôvodné IC od Samsung/Micron.Podpora funkcie On-Die ECC.Zabudovaný nezávislý IC pre správu napájania.Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 6400 48GB 3Gx8 (-25 až 95) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Použité originálne pamäťové čipy (IC) Hynix. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý napájací obvod PMIC (Power Management IC). CKD a TVS dióda na module. Prevádzková teplota: -25 °C až 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 64 GB 4Gx8 (-25 až 95) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Použité originálne pamäťové čipy (IC) Hynix. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý napájací manažment IC (PMIC). CKD a TVS dióda na module. Prevádzková teplota: -25 °C až 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 16 GB 2Gx8 (-25 až 95 °C) Hynix Prenosová rýchlosť dát: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Použité originálne pamäťové čipy (IC) Hynix. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý napájací manažment IC (PMIC). CKD a TVS dióda na module. Prevádzková teplota: -25 °C až 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 32 GB 2Gx8 (-25 až 95 °C) Hynix Prenosová rýchlosť dát: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Použité originálne pamäťové čipy (IC) Hynix. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý obvod správy napájania (PMIC). CKD a TVS dióda na module. Prevádzková teplota: -25 °C ~ 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 8 GB 1Gx16 (-25 až 95 °C) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 6400 MT/s. Kapacita: 8/16/32/48/64 GB. Použité originálne pamäťové čipy (IC) Hynix. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý napájací obvod (PMIC) pre správu napájania. CKD a TVS dióda na module. Prevádzková teplota: -25 °C až 95 °C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originálny Samsung/Hynix IC. Vstavaný nezávislý IC pre správu napájania. Prevádzková teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originálny Samsung/Hynix IC. Integrovaný nezávislý napájací manažment IC. Prevádzková teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originálny Samsung/Hynix IC. Vstavaný nezávislý IC pre správu napájania. Prevádzková teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použité originálne IC od Samsung/Micron.Podpora funkcie On-Die ECC.Vstavaný nezávislý integrovaný obvod pre správu napájania.Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 48GB 3Gx8 Micron Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použité originálne Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý obvod riadenia napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originálny čip Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Zabudovaný nezávislý integrovaný obvod na správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originálny Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý obvod na správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originálny Samsung IC. Vstavaný nezávislý IC na riadenie napájania. Prevádzková teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8GB/16GB/32GB.Použitý originálny Samsung IC.Vstavaný nezávislý IC pre správu napájania.Prevádzková teplota: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita : 8GB/16GB/32GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 95 °C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použité originálne čipy Samsung/Micron. Podpora funkcie On-Die ECC. Vstavaný samostatný integrovaný obvod pre správu napájania. Pracovná teplota: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Prenosová rýchlosť: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originálny Samsung IC. Integrovaný nezávislý IC pre správu napájania. Prevádzková teplota: -40°C ~ 95°C.