* Les images sont uniquement à titre de référence. Voir les spécifications du produit (fiche technique).
Fichiers à télécharger:
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Modalités et conditions
| Mémoire | Fabricant | Advantech |
| Capacité | 8 Go | |
| Fabricant de puce | SAMSUNG | |
| Organisation de puce | 1G X 16 | |
| Rang | 1 Rang | |
| Interface | 288 broches | |
| Fréquence | 5600 MHz | |
| Tension | 1.1V | |
| Hauteur du PCB | 1.23" | |
| Caractéristique | Non-bufferisé | |
| Température de fonctionnement | -20 ~ 85°C |
Fiche technique
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Puce Samsung 16G DDR5-4800 288 broches 2GX8 1.1V non tamponnée d'Advantech Puce originale Samsung. Banques et longueur de rafale augmentées. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Puce Samsung Advantech 8G DDR5-4800 288 broches 1GX16 1.1V Non tamponnée Puce originale Samsung. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une meilleure fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS).
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce Originale Samsung.Double Sous-canaux 32 bits.Augmentation des Bancs et de la Longueur de Rafale.DDR5 4.8GT/s.Rafraîchissement du Même Banc.ECC intégré pour RAS Amélioré.
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Double sous-canaux 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4,8GT/s. Rafraîchissement même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Puce Samsung 16G DDR5-4800 288 broches 2GX8 1.1V non tamponnée d'Advantech Puce originale Samsung. Banques et longueur de rafale augmentées. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Puce Samsung Advantech 8G DDR5-4800 288 broches 1GX16 1.1V Non tamponnée Puce originale Samsung. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une meilleure fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS).
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce Originale Samsung.Double Sous-canaux 32 bits.Augmentation des Bancs et de la Longueur de Rafale.DDR5 4.8GT/s.Rafraîchissement du Même Banc.ECC intégré pour RAS Amélioré.
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Double sous-canaux 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4,8GT/s. Rafraîchissement même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
