SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 Go. IC d'origine Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0 °C ~ 95 °C.
SODIMM DDR3L 1600 8GB 512x8(0-85°C) Puces IC Samsung/Micron d'origine adaptées. Vitesse de transfert de données : 1600 MHz. Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C. Doigt doré de 30u” et BOM fixe. Logiciel intelligent gratuit pour surveiller les informations en temps réel de la DRAM.
SODIMM DDR3L 204 broches 1600 8GB 512x8(-40-85) Micro Doigt doré 30u”. Température de fonctionnement : -40° C à +85° C. Test de dépistage à 100 %. Fournisseur de puces d'origine adopté. EEPROM avec capteur thermique. Test d'endurance.
SODIMM DDR3L 1866 4GB (-40-85) Adoption d'une puce Samsung originale de niveau 1. Taux de transfert de données : 1600MT/s. Longévité de 3 ans et garantie à vie. Température de fonctionnement : -20 °C ~ 85 °C. Logiciel intelligent gratuit pour surveiller les informations en temps réel de la DRAM. .
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. Puces Samsung/Micron d'origine adoptées. Prend en charge la fonction ECC intégrée. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. Circuit intégré Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM D4 3200 16GB (0-85) 2Gx8 Hynix Puce IC Hynix originale adoptée. Taux de transfert de données : 3200MT/s. Capacité : 4/8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C. Garantie à vie.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. CI Samsung d'origine adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. Circuit intégré Samsung original adopté. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR4 3200 16GB (0-85) SAM-G Puces IC Samsung/Micron originales adaptées.Débit de transfert de données : 3200/2666MT/s.Capacité : 2/4/8/16/32GB.Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C.Durée de vie de 3 ans, BOM fixe, Garantie à vie.
UDIMM DDR4 3200 16 Go 1024x8 (0-85) Micron Module mémoire UDIMM 288 broches (Dual In-Line Memory Module). Taux de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 4 Go / 8 Go / 16 Go / 32 Go. Température de fonctionnement : 0°C à 85°C. BOM fixe / garantie à vie.
RDIMM DDR5 6400 64 Go 4Gx4 (0-95) Hynix Taux de transfert des données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128 Go. Test de sélection (screening) à 100 %. Compatible avec les plateformes serveur. Puce IC d’origine utilisée. Contacts dorés (golden finger) 30 µ”. Température de fonctionnement : 0°C à 95°C.
ECC UDIMM DDR4 3200 32GB (0-85) SAM-C BOM fixe / puce fixe. Doigt doré 30u”. Puce originale de premier niveau adoptée. EEPROM avec capteur thermique. Test de dépistage à 100%. Test de rodage.
UDIMM DDR4 3200 4GB 512Gx16 (0-85) Micron Module de mémoire à double rangée de 288 broches.Vitesse de transfert de données : 3200 MT/s.Capacité : 4GB/8GB/16GB/32GB.Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.BOM fixe / Garantie à vie.
SODIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85) SAM SODIMM ECC DIMM 260 broches. Taux de transfert de données : 2666/3200 MT/s. Capacité : 4/8/16/32GB. Puce IC d'origine (Samsung/Hynix). Support de large plage de température -40°C~85°C. Prise en charge de la fonction ECC.
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 Go. IC original Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestion de l'alimentation indépendante avec IC intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Vitesse de transfert des données : 4800/5600 MT/s.Capacité : 8/16/24/32/48GB.IC original Samsung/Micron adopté.Prise en charge de la fonction ECC intégrée à la puce.Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré.Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Débit de transfert de données : 4800/5600 MT/s.Capacité : 8/16/24/32/48GB.IC Samsung/Micron d'origine adoptée.Support de la fonction ECC intégrée.Gestion indépendante de l'alimentation IC intégrée.Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (-40-85) SAM SODIMM ECC DIMM 260 broches. Vitesse de transfert de données : 2666/3200 MT/s. Capacité : 4/8/16/32GB. Puce IC d'origine (Samsung/Hynix). Soutien large gamme de températures -40oC~85oC. Support de la fonction ECC.
ECC SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. IC Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. IC Samsung/Micron d'origine adoptée. Prise en charge de la fonction ECC. Gestion de l'alimentation indépendante IC intégrée. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 5600/4800 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Original : IC Samsung/Micron adopté. IC de gestion d'alimentation indépendant intégré. Support de la fonction ECC. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
RDIMM D4 2666 8GB (0-85) SAM-C 1Gbx8 Test de dépistage à 100%. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré de 30u”.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestionnaire de puissance IC indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (-40-85) SAM Doigt d'or 30u”. Plage de température étendue : -40°C~85°C. Puce originale de premier niveau adoptée. BOM fixe et garantie à vie. Surveillance logicielle de la DRAM.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. Circuit intégré Samsung/Hynix d'origine adopté. IC de gestion d'alimentation indépendante intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
RDIMM D4 3200 64GB (0-85) SAM 4Gx4 Test de dépistage à 100 %.Compatible avec la plateforme serveur.Puce IC d'origine adoptée.Doigt d'or 30u".
DDR5 CXL 2.0 E3.S-2T Type3 PCIE5.0 64GB Facteur de forme EDSFF E3.S 2T. Vitesse de transfert de données : PCIe Gen 5.0x8 32GT/s. Capacité : 64GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C. Doigt d'or PCB de 30μ’’. Gestion de l'alimentation indépendante avec CI intégré. Prise en charge de la détection et correction d'erreurs ECC. Driver d'horloge...
SODIMM ECC DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) SAM SODIMM ECC DIMM à 260 broches. Débit de transfert de données : 2666/3200 MT/s. Capacité : 4/8/16/32GB. Puce IC d'origine (Samsung/Hynix). Soutien à une large plage de températures -40°C~85°C. Prise en charge de la fonction ECC.
SODIMM DDR4 2666 8GB 1Gbx8 (0-85C) Puce IC d'origine Samsung/Micron adaptée. Vitesse de transfert de données : 3200/2666MT/s. Capacité : 2/4/8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C. Durée de vie de 3 ans, BOM fixe, Garantie à vie.
SODIMM ECC DDR4 3200 32 Go 2Gx8 (-40 à 85) Micron Module SODIMM ECC DIMM 260 broches. Taux de transfert des données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32 Go. Température de fonctionnement : 0 °C à 85 °C / -40 °C à 85 °C. Prise en charge de la fonction ECC.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Débit de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48/64GB. IC d'origine Samsung/Hynix/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC embarquée. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR4 3200 32GB (-40-85)Hynix Doigt d'or 30u". Plage de température étendue : -40°C~85°C. Puce d'origine de premier niveau adoptée. Garantie à vie. Surveillance logicielle DRAM.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC d'origine Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestion de l'alimentation indépendante avec IC intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM D4 3200 32GB (0-85) SAM 2Gbx4 Test de dépistage à 100 %.Compatible avec la plateforme serveur.Puce IC d'origine adoptée.Doigt d'or 30u”.
SODIMM DDR4 3200 8GB 1024x8 (-20-85) SAM-C Puce IC d'origine adoptée. Doigt d'or 30u”. Température étendue : -20°C~85°C. Prise en charge de l'outil logiciel de surveillance DRAM. Garantie à vie.
260 broches SODIMM-D4-2666 8G 1Gbx8 HYNX 0-85 Puce IC Samsung/Micron d'origine adaptée. Vitesse de transfert des données : 3200/2666MT/s. Capacité : 2/4/8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C. Longévité de 3 ans, BOM fixe, Garantie à vie.
SQRAM 4G SO-DDR3-1600 LOW VOLTAGE I-GRD Doigt d'or "30u. Température de fonctionnement : -40° C à +85° C. Test de dépistage à 100. Adoption par le vendeur de la puce d'origine. EEPROM avec capteur thermique. Test de déverminage.
SODIMM DDR4 2666 32GB 2Gbx8 (0-85C) Puce IC Samsung/Micron originale adaptée. Débit de transfert de données : 3200/2666MT/s. Capacité : 2/4/8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C. Durée de vie de 3 ans, BOM fixe, Garantie à vie.
RDIMM DDR4 3200 32 Go 2Gx8, ECC, enregistré (-25~85 °C) Adopte des puces IC Hynix d’origine. Prise en charge d’une large plage de températures de fonctionnement : -25 à 85 °C. Taux de transfert de données jusqu’à 3200 MT/s.
SODIMM DDR5 6400 48 Go 3Gx8 (-25 à 95) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. Utilise des circuits intégrés (IC) Hynix d’origine. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. Circuit intégré de gestion d’alimentation (PMIC) intégré. CKD et diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25 °C à 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 64 Go 4Gx8 (-25 à 95 °C) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. Utilise des circuits intégrés (IC) Hynix d’origine. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. CI de gestion d’alimentation (PMIC) intégré. CKD & diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25 °C à 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 16 Go 2Gx8 (-25 à 95 °C) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. CI (IC) Hynix d’origine intégré. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. Circuit intégré (IC) de gestion d’alimentation indépendant intégré. CKD et diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25 °C à 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 32 Go 2Gx8 (-25 à 95) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. Circuits intégrés (IC) Hynix d’origine. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. Circuit intégré de gestion d’alimentation (PMIC) intégré et indépendant. CKD et diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25°C à 95°C.
SODIMM DDR5 6400 8 Go 1Gx16 (-25 à 95 °C) Hynix Taux de transfert des données : 6400 MT/s. Capacité : 8/16/32/48/64 Go. Utilise des circuits intégrés (IC) Hynix d’origine. Prise en charge de la fonction ECC On-Die. Circuit intégré de gestion d’alimentation (PMIC) indépendant intégré. CKD et diode TVS sur le module. Température de fonctionnement : -25 °C...
UDIMM ECC DDR5 5600 16 Go 2Gx8 Samsung Taux de transfert des données : 5600 MT/s. Capacité : 16 Go / 32 Go. Origine : circuits intégrés (IC) Samsung/Micron d’origine. Circuit intégré (IC) de gestion d’alimentation indépendant intégré. Prise en charge de la fonction ECC. Température de fonctionnement : 0°C à 85°C.
UDIMM DDR4 3200 ECC 32 Go 2Gx8 (0-85) Micron Module mémoire DIMM (Dual In-Line) 288 broches. Taux de transfert des données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32 Go. Température de fonctionnement : 0°C à 85°C. Garantie à vie. Prise en charge de la fonction ECC. Contacts dorés (Golden Finger) sur PCB, épaisseur 30 μ".
RDIMM D4 3200 8 Go (0-85) Micron 1Gb x8 Test de sélection (screening) à 100 %. Compatible avec les plateformes serveur. Utilisation de puces IC d’origine. Contacts « golden finger » plaqués or 30 µ”.
SODIMM ECC DDR4 3200 16 Go 1Gx8 (-40 à 85) Micron SODIMM ECC DIMM 260 broches. Débit de transfert des données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32 Go. Température de fonctionnement : 0 °C à 85 °C / -40 °C à 85 °C. Prise en charge de la fonction ECC.
RDIMM D5 4800 96GB (0-85) SAM 6Gbx4 Samsung Débit de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128 Go. Test de dépistage à 100 %. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré de 30u”. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR4 3200 8GB 1024x8 (0-85) Micron Module de mémoire à double rangée de 288 broches.Débit de transfert des données : 3200 MT/s.Capacité : 4GB/8GB/16/32GB.Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.BOM fixe / Garantie à vie.
ECC UDIMM DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85) Micron Module de mémoire Dual In-Line à 288 broches. Vitesse de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C. Garantie à vie. Prise en charge de la fonction ECC. Doigt d'or PCB de 30μ".
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Débit de transfert de données : 5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 GB. Circuit intégré Samsung/Hynix/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Hynix Taux de transfert de données : 5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 Go. Circuit intégré Samsung/Hynix/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégré. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM D4 3200 32GB (0-85) Micron 2Gbx8 Test de sélection à 100%. Compatible avec les plateformes serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré 30u".
ECC UDIMM DDR5 5600 48GB 3Gb*8 (0-95) Micron Vitesse de transfert de données : 5600 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Original : IC Samsung/Micron adopté. IC de gestion d'alimentation indépendant intégré. Prise en charge de la fonction ECC. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
RDIMM D4 3200 16GB (0-85) Micron1Gbx8 Test de dépistage à 100%.Compatible avec la plateforme serveur.Puce IC originale adoptée.Doigt en or de 30u”.
RDIMM DDR5 5600 128GB 8Gx4 Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de sélection à 100 %. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigté doré de 30u”. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85C) Hynix Module de mémoire vive à double rangée de 288 broches. Vitesse de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 4GB/8GB/16GB/32GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C. Garantie à vie.
UDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Taux de Transfert de Données : 5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48 Go. CI d'origine Samsung/Hynix/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestion de l'alimentation indépendante IC intégrée. Température de Fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (0-85) Hynix Module de mémoire Dual In-Line à 288 broches.Vitesse de transfert de données : 3200 MT/s.Capacité : 4GB/8GB/16GB/32GB.Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.Garantie à vie.
UDIMM DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85C) Hynix Module de mémoire à double rangée de 288 broches.Vitesse de transfert de données : 3200 MT/s.Capacité : 4GB/8GB/16GB/32GB.Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.Garantie à vie.
UDIMM DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85C) Hynix Module de mémoire à double rangée de 288 broches.Vitesse de transfert de données : 3200 MT/s.Capacité : 4GB/8GB/16GB/32GB.Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.Garantie à vie.
UDIMM ECC DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) Hynix Module de Mémoire à Double Rangée de 288 broches.Taux de Transfert de Données : 3200 MT/s.Capacité : 8/16/32GB.Température de Fonctionnement : 0°C ~ 85°C.Garantie à vie.Support de la fonction ECC.Doigt d'Or du PCB de 30μ".
UDIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85) Hynix Module de mémoire Dual In-Line 288 broches. Débit de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C. Garantie à vie. Prise en charge de la fonction ECC. Doigt d'or PCB de 30μ".
UDIMM ECC DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85) Hynix Module de mémoire à double rangée de 288 broches.Vitesse de transfert de données : 3200 MT/s.Capacité : 8/16/32GB.Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.Garantie à vie.Support de la fonction ECC.Doigt doré PCB 30μ".
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. IC d'origine Samsung/Hynix adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. IC Samsung/Hynix d'origine adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8GB/16GB/32GB. IC Samsung/Hynix d'origine adopté. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C.
SODIMM D4 3200 8GB (0-85) 1Gx8 Hynix Puces IC Hynix originales adoptées. Débit de transfert de données : 3200MT/s. Capacité : 4/8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C. Garantie à vie.
SODIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (0-85) Hynix Puce IC Hynix originale adoptée.Vitesse de transfert de données : 3200MT/s.Capacité : 4/8/16/32GB.Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C.Garantie à vie.
SODIMM D4 3200 32GB (0-85) 2Gx8 Hynix Puces IC Hynix originales adoptées.Taux de transfert de données : 3200MT/s.Capacité : 4/8/16/32GB.Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C.Garantie à vie.
SODIMM ECC DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) Hynix 260 broches SODIMM ECC DIMM. Taux de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C / -40°C ~ 85°C. Prise en charge de la fonction ECC.
SODIMM ECC DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85) Hynix SODIMM ECC DIMM 260 broches. Débit de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C. Support de la fonction ECC.
SODIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85) Hynix SODIMM ECC DIMM 260 broches. Vitesse de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C. Support de la fonction ECC.
SODIMM DDR4 3200 8GB 1Gx8 (-40-85) Micron Doigt d'or 30u”. Plage de température étendue : -40°C~85°C. Puce d'origine de premier niveau adoptée. Garantie à vie. Surveillance logicielle DRAM.
SODIMM DDR4 3200 8GB (-40-85)Hynix Doigt d'or 30u”. Plage de température étendue : -40°C~85°C. Puce d'origine de premier niveau adoptée. Garantie à vie. Surveillance logicielle DRAM.
SODIMM ECC DDR4 3200 8GB 1Gx8 (-40-85) Hynix SODIMM ECC DIMM 260 broches.Débit de transfert de données : 3200 MT/s.Capacité : 8/16/32GB.Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C / -40°C ~ 85°C.Prise en charge de la fonction ECC.
SODIMM DDR4 3200 32GB 2Gx8 (-40-85) Micron Doigt d'or 30u”. Plage de température étendue : -40°C~85°C. Adoption de puces originales de premier niveau. Garantie à vie. Surveillance logicielle de la DRAM.
SODIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (-40-85) Hynix Doigt d'or 30u". Plage de température étendue : -40°C~85°C. Puce d'origine de premier niveau adoptée. Garantie à vie. Surveillance logicielle de la DRAM.
SODIMM DDR4 3200 16GB 1Gx8 (-40-85) Micron Doigt doré 30u”Plage de température étendue : -40°C~85°CPuce d'origine de premier niveau adoptéeGarantie à vieSurveillance logicielle de la DRAM
SODIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (-40-85) Hynix SODIMM ECC DIMM à 260 broches.Débit de transfert de données : 3200 MT/s.Capacité : 8/16/32GB.Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C.Support de la fonction ECC.
SODIMM ECC DDR4 3200 16GB 1Gx8 (-40-85) Hynix 260 broches SODIMM ECC DIMM. Taux de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C. Support de la fonction ECC.
SODIMM DDR4 3200 16GB (-40-85)Hynix Doigt d'or 30u”. Plage de température étendue : -40°C à 85°C. Puce d'origine de premier niveau adoptée. Garantie à vie. Surveillance logicielle DRAM.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de criblage à 100 %. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigté doré de 30u". Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de criblage à 100 %. Compatible avec les plateformes serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré de 30u”. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de dépistage à 100%. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt d'or de 30u”. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Taux de transfert de données : 4800/5600/6400 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de sélection à 100 %. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt d'or de 30u". Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR4 3200 32GB 2Gx8 (-20-85) SAM-C Puce IC d'origine adoptée. Doigt d'or 30u”. Température étendue : -20°C~85°C. Support de l'outil logiciel de surveillance DRAM. Garantie à vie.
SODIMM DDR4 320016GB 1024x8 (-20-85) SAM-G Puce IC d'origine adoptée.Doigt d'or 30u”.Température étendue : -20°C~85°C.Support de l'outil logiciel de surveillance DRAM.Garantie à vie.
RDIMM D4 3200 8GB (0-85) Hynix 1Gbx8 Test de dépistage à 100%. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré de 30u”.
SODIMM DDR4 3200 8GB 1024x8 (-20-85) SAM-G Puce IC d'origine adoptée.Doigt d'or 30u”.Température étendue : -20°C~85°C.Support de l'outil logiciel de surveillance DRAM.Garantie à vie.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Vitesse de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégrée. Gestion de l'alimentation indépendante IC intégrée. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 48GB 3Gx8 Micron Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. IC Samsung/Micron d'origine adopté. Prise en charge de la fonction ECC intégré. IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 64GB 4Gx4 Hynix Débit de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 16/32/64/128GB. Test de sélection à 100 %. Compatible avec les plateformes serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré 30u". Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
RDIMM D4 3200 32GB (0-85) Hynix 2Gbx8 Test de dépistage à 100%. Compatible avec la plateforme serveur. Puce IC d'origine adoptée. Doigt doré 30u”.
RDIMM D4 3200 16GB (0-85) Hynix 1Gbx8 Test de dépistage à 100 %.Compatible avec la plateforme serveur.Puce IC originale adoptée.Doigt d'or 30u".
SODIMM DDR4 3200 Semi 16GB 1Gx8 (0-85) SAM Puces IC originales Samsung/Micron adaptées.Débit de transfert de données : 3200/2666MT/s.Capacité : 2/4/8/16/32GB.Température de fonctionnement : 0 °C ~ 85 °C.Durée de vie de 3 ans, BOM fixe, Garantie à vie.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Taux de transfert de données : 4800/5600 MT/s. Capacité : 8/16/24/32/48GB. Circuit intégré original Samsung/Micron adopté. Prise en charge de la fonction ECC sur puce. Circuit intégré de gestion de l'alimentation indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Vitesse de transfert de données : 4800 MT/s. Capacité : 16GB/32GB. Circuit intégré Samsung d'origine adopté. Support de la fonction ECC. Gestionnaire de puissance indépendant intégré. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C.
