Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 2Gx8 1.1V Non tamponnée Puce Samsung Puce Samsung d'origine.Double sous-canaux 32 bits.Nombre de banques et longueur de rafale augmentés.DDR5 4,8 GT/s.Rafraîchissement du même banc.ECC intégré pour une RAS améliorée.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Sous-canaux doubles 32 bits. Nombre de banques et longueur de rafale augmentés. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance améliorées (RAS).
16 Go ECC DDR5-5600 2Gx8 1,1 V SAM Puce d’origine SAM. Anti-sulfuration. PCB : contacts dorés (gold finger) 30 μ. Circuit intégré de gestion d’alimentation (PMIC) intégré, indépendant. Prise en charge de la fonction ECC.
32GB ECC DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine SAM.Anti-sulfuration.PCB : doigt d'or 30μ.IC de gestion de l'alimentation indépendant intégré.Support de la fonction ECC.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262 broches 2GX8 1.1V Non tamponnée Puce Hynix Puce originale Hynix.Bancs et longueur de rafale augmentés.DDR5 5.6GT/s.Rafraîchissement du même banc.ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Non tamponnée Hynix Chip Puces originales Hynix. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262 broches 1GX16 1.1V Non tamponnée puce Hynix Puce originale Hynix.Augmentation des banques et de la longueur de rafale.DDR5 5.6GT/s.Rafraîchissement dans la même banque.ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS) améliorées.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 1Gx16 1.1V Non tamponné Puce Samsung Puce originale Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 2GX8 1.1V Non tamponnée Puce Samsung Puce originale Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Nombre de banques et longueur de rafale augmentés. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement même banque. ECC intégré pour une fiabilité et stabilité accrues (RAS).
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS) améliorées.