16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.
32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.
16 Go ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.
