Mémoire DDR4
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UDIMM DDR4 3200 ECC 32 Go 2Gx8 (0-85) Micron Module mémoire DIMM (Dual In-Line) 288 broches. Taux de transfert des données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32 Go. Température de fonctionnement : 0°C à 85°C. Garantie à vie. Prise en charge de la fonction ECC. Contacts dorés (Golden Finger) sur PCB, épaisseur 30 μ".
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ECC UDIMM DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85) Micron Module de mémoire Dual In-Line à 288 broches. Vitesse de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C. Garantie à vie. Prise en charge de la fonction ECC. Doigt d'or PCB de 30μ".
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UDIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85) Hynix Module de mémoire Dual In-Line 288 broches. Débit de transfert de données : 3200 MT/s. Capacité : 8/16/32GB. Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C. Garantie à vie. Prise en charge de la fonction ECC. Doigt d'or PCB de 30μ".
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ECC-D4 2666 32GB SAM 2Gx8 robuste, -40-85 PCB robuste conçu avec un trou de montage, vérifié selon la norme militaire MIL-810G. Taux de transfert de données extrême jusqu'à 3200 MT/s. Capacité : jusqu'à 32 Go. Plage de température étendue : -40°C ~ 85 °C. Puce IC d'origine (Samsung/Hynix).
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SODIMM DDR4 2666 16GB Hynix 1Gx8, 0-85°C robuste PCB robuste conçu avec trou de montage, vérifié selon la norme militaire MIL-810G.Taux de transfert de données extrême jusqu'à 3200 MT/s.Capacité : jusqu'à 32GB.Plage de température étendue prise en charge : 0°C ~ 85 °C.Puce IC originale (Samsung/Hynix).
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