* Les images sont uniquement à titre de référence. Voir les spécifications du produit (fiche technique).
Fichiers à télécharger:
insert_drive_file AQD-SD5V16GN48-SB_datasheet20221005115443.pdf
Modalités et conditions
| Mémoire | Fabricant | Advantech |
| Capacité | 16 Go | |
| Fabricant du Chip | SAMSUNG | |
| Organisation du Chip | 1 G x 8 | |
| Rang | 2 Rang | |
| Interface | 262 broches | |
| Fréquence | 4800 MHz | |
| Tension | 1.1V | |
| Hauteur du PCB | 1.18" | |
| Caractéristique | Non tamponné | |
| Température de Fonctionnement | 0 ~ 85°C |
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16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Sous-canaux doubles 32 bits. Nombre de banques et longueur de rafale augmentés. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance améliorées (RAS).
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS) améliorées.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 1Gx16 1.1V Non tamponné Puce Samsung Puce originale Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 2Gx8 1.1V Non tamponnée Puce Samsung Puce Samsung d'origine.Double sous-canaux 32 bits.Nombre de banques et longueur de rafale augmentés.DDR5 4,8 GT/s.Rafraîchissement du même banc.ECC intégré pour une RAS améliorée.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Sous-canaux doubles 32 bits. Nombre de banques et longueur de rafale augmentés. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance améliorées (RAS).
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce d'origine Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une fiabilité, disponibilité et facilité de maintenance (RAS) améliorées.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 1Gx16 1.1V Non tamponné Puce Samsung Puce originale Samsung. Double sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur de rafale. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC intégré pour une RAS améliorée.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262 broches 2Gx8 1.1V Non tamponnée Puce Samsung Puce Samsung d'origine.Double sous-canaux 32 bits.Nombre de banques et longueur de rafale augmentés.DDR5 4,8 GT/s.Rafraîchissement du même banc.ECC intégré pour une RAS améliorée.
