(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

4G DDR4-2400 512X16 1,2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM chip. DDR4 specifikáció. Puffer nélküli DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 4GB.

8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

8G DDR4-2400 1GX8 1,2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz puffereletlen UDIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

512MB SO-DDR1 400 64X8 PROMÓK DDR1-400 SO-DIMM. 200 tűs. 64MX8. Promos Chip.

DDR2 800 SODIMM 1 GB 128x8 Nanya Nanya DRAM chip. DDR3. So-DIMM. Puffer nélküli. 1GB.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1,5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204 tűs. 128MX8. Samsung chip.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz puffereletlen SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1,35V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Samsung Chip.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Hynix chip.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIKROFON DDR3-1600 SO-DIMM. 204 tűs. 512MX8. Micron chip.

Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1.35V Párhuzamosítatlan Samsung Chip DDR3-1600 SO-DIMM.204 tűs.256MX8.Samsung chip.

(DEL21)Micron 8 GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz nem pufferelt DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. 1.2V energiafogyasztás. Alacsony fogyasztású automatikus önfrissítés (LPASR). Adatbusz inverzió (DBI) az adatbuszhoz. Névleges és dinamikus on-die terminálás (ODT) az adat-, strobe- és maszkjelekhez.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM ECC-vel. 30μ" aranyozás vastagsága. Anti-szulfurációs ellenállás. Soros jelenlétérzékelés EEPROM-mal. Támogatja az ECC hibaérzékelést és -javítást. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM chip. DDR4 specifikáció. Puffer nélküli DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 4GB.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.

8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Sebesség: 3200MHz. 30u" arany bevonat vastagság. Kénesedés elleni védelem. ECC.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága (IPC-2221 szabvány). 1.2V energiafogyasztás. RoHS-kompatibilis. Hynix eredeti chip.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 nem pufferelt SO-DIMM. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. Samsung eredeti chip.

8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz puffer nélküli SO-DIMM DDR4 2666Mhz. 30μ" aranyozás vastagsága. 1.2V energiafogyasztás. 100%-ban tesztelt stabilitás, kompatibilitás és teljesítmény. Samsung eredeti chip.