UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použitý originálny Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Zabudovaný nezávislý integrovaný obvod na správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Rýchlosť prenosu dát: 5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48 GB.Použitý originálny čip Samsung/Hynix/Micron IC.Podpora funkcie On-Die ECC.Integrovaný nezávislý IC na riadenie napájania.Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Hynix Rýchlosť prenosu dát: 5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48 GB. Použité originálne IC od Samsung/Hynix/Micron. Podpora funkcie On-Die ECC. Vstavaný nezávislý IC pre správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Rýchlosť prenosu dát: 5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48 GB. Použité originálne IC Samsung/Hynix/Micron. Podpora funkcie On-Die ECC. Vstavaný nezávislý IC na správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Prenosová rýchlosť: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použité originálne Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Vstavaný nezávislý obvod na správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Rýchlosť prenosu dát: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použité originálne Samsung/Micron IC. Podpora funkcie On-Die ECC. Integrovaný nezávislý IC pre správu napájania. Prevádzková teplota: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.