UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
UDIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
