Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2Gx8 1.1V Nepreplnená Pamäť Samsung Čip Pôvodný čip Samsung. Dvojité 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova rovnakého banku. Integrované ECC pre zlepšenú RAS.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip Samsung. Dva 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka výbuchu. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie rovnakého banku. On-die ECC pre zlepšenú RAS.
16 GB ECC DDR5-5600 2GX8 1,1 V SAM Originálny čip SAM. Ochrana proti sulfidácii (anti-sulfuration). PCB: 30 μ pozlátené kontakty (gold finger). Vstavaný nezávislý integrovaný obvod (IC) pre správu napájania. Podpora funkcie ECC.
32GB ECC DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip SAM. Ochrana proti sulfidácii. PCB: 30μ zlatý kontakt. Integrovaný nezávislý IC na riadenie napájania. Podpora funkcie ECC.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Čip Originálny Hynix čip. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnova rovnakého banku. On-die ECC pre vylepšenú RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Nepamäťový Hynix Čip Originálny Hynix čip. Navýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnovenie v rámci rovnakej banky. Vstavané ECC pre vylepšenú spoľahlivosť a dostupnosť systému (RAS).
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V Unbuffered Hynix Chip Originálny čip Hynix. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 5.6GT/s. Obnova v rámci rovnakej banky. On-die ECC pre zlepšenú spoľahlivosť a dostupnosť systému (RAS).
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 1Gx16 1.1V Nebufrovaný Samsung Čip Pôvodný čip Samsung. Dvojité 32-bitové podkanály. Navýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova rovnakou bankou. On-die ECC pre zlepšenú RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Pôvodný čip Samsung. Dvojité 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka výbuchu. DDR5 4.8GT/s. Obnova v rámci tej istej banky. Vstavaná ECC pre zlepšenú RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip Samsung. Dva 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v rámci rovnakej banky. On-die ECC pre vylepšenú RAS.