8G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Čip DRAM spoločnosti Micron. DDR4. Registrovaný modul DIMM. Zlaté okrajové kontakty. 64 GB.
32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.
(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Veľmi nízky profil. Široká teplota. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR).
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2 DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR).
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2 DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR).
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1. DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR).
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1,2V DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registered DIMM. Veľmi nízky profil. Široká teplota. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. Poskytuje lepšiu spoľahlivosť, dostupnosť a prevádzkyschopnosť (RAS) a zlepšuje integritu údajov.
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Poskytuje lepšiu spoľahlivosť, dostupnosť a prevádzkyschopnosť (RAS) a zlepšuje integritu údajov.
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Poskytuje lepšiu spoľahlivosť, dostupnosť a prevádzkyschopnosť (RAS) a zlepšuje integritu údajov.
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu.
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
16G ECC-DDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. ECC.
16 GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. Nevypĺňané.
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.
32 GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. Nevypĺňané.
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
4G DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
