* Obrázky sú len orientačné. Pozrite si špecifikácie produktu (datasheet).
Súbory na stiahnutie:
insert_drive_file AQD-SD3L8GN16-SG1_DS20170823102019.pdf
Obchodné podmienky
| Pamäť | Výrobca | Advantech |
| Kapacita | 8 GB | |
| Výrobca čipu | SAMSUNG | |
| Organizácia čipu | 512M X 8 | |
| Počet radov | 2 Rank | |
| Rozhranie | 204 pinov | |
| Frekvencia | 1600 MHz | |
| Napätie | 1.35 V | |
| Výška PCB | 1.18" | |
| Funkcia | Neodtlmované | |
| Prevádzková teplota | 0 ~ 85°C |
Po vytvorení objednávky obdržíte e-mail so zálohovou faktúrou, kde je podrobne vypočítaná najvýhodnejšia cena dopravy. U nás nezaplatíte skryté poplatky, cenu dopravy nepremietame do ceny produktu. Ďalej vám poskytneme odhadovaný termín dodania. Potvrdením zálohovej faktúry nám dávate zelenú pre expedíciu vašej objednávky a súhlasíte s našimi dodacími podmienkami.
Sme hrdým certifikovaným partnerom značky Advantech, Westermo, Elproma a Korenix. Vďaka tomu môžete mať istotu, že nakupujete kvalitné a overené produkty priamo od dôveryhodného dodávateľa. Navštívte odkaz a overte našu spoluprácu priamo na oficiálnych stránkach.
Náš tím má bohaté skúsenosti s návrhom a realizáciou veľkých priemyselných projektov. Už sme spolupracovali s významnými priemyselnými podnikmi, metrom a železničnou dopravou. Ak máte v pláne väčší projekt alebo potrebujete konzultáciu, sme tu pre vás! Naši špecialisti vám radi pomôžu a pripravia ponuku presne na mieru vašim potrebám.
Máte otázky alebo potrebujete rýchlu pomoc? Náš zákaznícky servis je pripravený vám odpovedať čo najrýchlejšie a poskytnúť vám všetky informácie, ktoré potrebujete.
Veríme v kvalitu našich produktov a služieb. Ak z nejakého dôvodu nebudete spokojní, radi vám pomôžeme nájsť riešenie.
Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1.35V Nepamäťový Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 256MX8. Samsung čip.
(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Micron.
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204-pinový.512MX8.Samsung čip.
Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1.35V Nepamäťový Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 256MX8. Samsung čip.
(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Micron.
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204-pinový.512MX8.Samsung čip.
