* Obrázky sú len orientačné. Pozrite si špecifikácie produktu (datasheet).
Súbory na stiahnutie:
insert_drive_file AQD-SD4U8GN32-SE2-8G-SO-DDR4-3200-1GX8-12V-SAM--20~85%E2%84%8320240516093239.pdf
Obchodné podmienky
| Pamäť | Výrobca | Advantech |
| Kapacita | 8 GB | |
| Výrobca čipu | SAMSUNG | |
| Organizácia čipu | 1 G x 8 | |
| Rank | 1 Rank | |
| Rozhranie | 260 pin | |
| Frekvencia | 3200 MHz | |
| Napätie | 1.2 V | |
| Výška PCB | 1.18" | |
| Vlastnosť | Nebufferovaná | |
| Prevádzková teplota | -20 ~ 85°C |
Tabuľka dát
Po vytvorení objednávky obdržíte e-mail so zálohovou faktúrou, kde je podrobne vypočítaná najvýhodnejšia cena dopravy. U nás nezaplatíte skryté poplatky, cenu dopravy nepremietame do ceny produktu. Ďalej vám poskytneme odhadovaný termín dodania. Potvrdením zálohovej faktúry nám dávate zelenú pre expedíciu vašej objednávky a súhlasíte s našimi dodacími podmienkami.
Sme hrdým certifikovaným partnerom značky Advantech, Westermo, Elproma a Korenix. Vďaka tomu môžete mať istotu, že nakupujete kvalitné a overené produkty priamo od dôveryhodného dodávateľa. Navštívte odkaz a overte našu spoluprácu priamo na oficiálnych stránkach.
Náš tím má bohaté skúsenosti s návrhom a realizáciou veľkých priemyselných projektov. Už sme spolupracovali s významnými priemyselnými podnikmi, metrom a železničnou dopravou. Ak máte v pláne väčší projekt alebo potrebujete konzultáciu, sme tu pre vás! Naši špecialisti vám radi pomôžu a pripravia ponuku presne na mieru vašim potrebám.
Máte otázky alebo potrebujete rýchlu pomoc? Náš zákaznícky servis je pripravený vám odpovedať čo najrýchlejšie a poskytnúť vám všetky informácie, ktoré potrebujete.
Veríme v kvalitu našich produktov a služieb. Ak z nejakého dôvodu nebudete spokojní, radi vám pomôžeme nájsť riešenie.
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2 V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka zlatenia 30u". Odolnosť voči síraniu. ECC.
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2 V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka zlatenia 30u". Odolnosť voči síraniu. ECC.
